Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FQS4901TF

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 400V 1.8A 8-Pin SOIC T/R

Цена от 15,02 ₽ до 582,15 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FQS4901TF на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 14
В наличии до 286981 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 15,02 ₽ до 121,08 ₽
США
На складе 712 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
17,33 ₽ от 100 шт.
16,17 ₽ от 250 шт.
15,02 ₽ от 500 шт.
США
На складе 563 шт.
MOQ 62 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
36,86 ₽ от 62 шт.
27,80 ₽ от 100 шт.
27,55 ₽ от 250 шт.
24,55 ₽ от 500 шт.
22,63 ₽ от 1000 шт.
19,08 ₽ от 3000 шт.
18,73 ₽ от 6000 шт.
18,25 ₽ от 9000 шт.
США
На складе 563 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
45,65 ₽ от 1 шт.
38,33 ₽ от 10 шт.
28,92 ₽ от 100 шт.
28,65 ₽ от 250 шт.
25,53 ₽ от 500 шт.
23,53 ₽ от 1000 шт.
19,85 ₽ от 3000 шт.
19,48 ₽ от 6000 шт.
18,98 ₽ от 9000 шт.
США
На складе 9000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
42,35 ₽ от 3000 шт.
42,04 ₽ от 4000 шт.
41,72 ₽ от 8000 шт.
41,41 ₽ от 40000 шт.
41,10 ₽ от 80000 шт.
США
На складе 1224 шт.
MOQ 16 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
46,06 ₽ от 16 шт.
45,34 ₽ от 25 шт.
44,62 ₽ от 100 шт.
43,90 ₽ от 250 шт.
43,18 ₽ от 500 шт.
42,45 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 3379 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel
101,08 ₽ от 1 шт.
84,86 ₽ от 10 шт.
84,86 ₽ от 50 шт.
65,31 ₽ от 100 шт.
52,10 ₽ от 1000 шт.
44,10 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 1224 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
Упаковка Cut Tape
48,66 ₽ от 1 шт.
47,91 ₽ от 10 шт.
47,16 ₽ от 25 шт.
46,41 ₽ от 100 шт.
45,65 ₽ от 250 шт.
44,90 ₽ от 500 шт.
44,15 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 286981 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
49,18 ₽ от 1 шт.
48,20 ₽ от 25 шт.
47,21 ₽ от 100 шт.
46,23 ₽ от 500 шт.
45,25 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tape & Reel
50,24 ₽ от 3000 шт.
48,51 ₽ от 6000 шт.
США
На складе 3000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape
121,08 ₽ от 1 шт.
99,42 ₽ от 10 шт.
97,53 ₽ от 25 шт.
77,29 ₽ от 100 шт.
65,51 ₽ от 500 шт.
53,36 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1466 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (5 шт.)
116,68 ₽ от 5 шт.
99,58 ₽ от 10 шт.
74,63 ₽ от 100 шт.
США
На складе 831 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 11550 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 12196 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
Европа 4
В наличии до 5980 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 46,56 ₽ до 582,15 ₽
Европейский союз
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 07:49 23.02.2021
56,54 ₽ от 3000 шт.
53,22 ₽ от 6000 шт.
49,89 ₽ от 12000 шт.
48,23 ₽ от 18000 шт.
46,56 ₽ от 24000 шт.
Польша
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
90,56 ₽ от 1 шт.
69,93 ₽ от 5 шт.
61,90 ₽ от 25 шт.
56,17 ₽ от 100 шт.
52,73 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 5980 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
98,36 ₽ от 3000 шт.
Британия
На складе 2115 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
582,15 ₽ от 5 шт.
436,27 ₽ от 10 шт.
317,03 ₽ от 100 шт.
300,20 ₽ от 500 шт.
283,36 ₽ от 3000 шт.
265,13 ₽ от 9000 шт.
248,29 ₽ от 24000 шт.
231,46 ₽ от 45000 шт.
Азия 3
В наличии до 1716 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 47,41 ₽ до 144,99 ₽
Китай
На складе 1224 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
52,25 ₽ от 1 шт.
51,45 ₽ от 10 шт.
50,64 ₽ от 25 шт.
49,82 ₽ от 100 шт.
49,02 ₽ от 250 шт.
48,21 ₽ от 500 шт.
47,41 ₽ от 1000 шт.
Сингапур
На складе 1466 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
144,99 ₽ от 1 шт.
124,69 ₽ от 10 шт.
93,37 ₽ от 100 шт.
90,57 ₽ от 250 шт.
79,16 ₽ от 500 шт.
64,47 ₽ от 1000 шт.
62,54 ₽ от 3000 шт.
57,80 ₽ от 6000 шт.
Китай
На складе 1716 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 08:52 23.02.2021
111,01 ₽ от 1 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor FQS4901TF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC, SOP
Текущий рейтинг:
450 mA
Gate Charge:
7.50 nC
Continuous Drain Current (Ids):
450 mA
Входная емкость:
210 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel, Dual N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
400 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
400 V
  • Transistor MOSFET Array Dual N-CH 400V 1.8A 8-Pin SOIC T/R
  • N-Channel 400 V 4.2 Ohm Surface Mount Mosfet - SOIC-8
  • N-Channel QFET® MOSFET 400V, 0.45A, 4.2Ω
  • Trans MOSFET N-CH 400V 0.45A 8-Pin SOIC N T/R
  • Транзистор
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:400V
  • Continuous Drain Current, Id:0.45A
  • On Resistance, Rds(on):4.2ohm
  • Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:4V
  • Соответствует RoHS: Да
  • Этот силовой МОП-транзистор с N-канальным улучшенным режимом производится с использованием запатентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для уменьшения сопротивления в открытом состоянии и обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой устойчивости к лавинной энергии. Эти устройства подходят для импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и электронных балластов ламп.
  • N CHANNEL MOSFET, 400V, SOIC
  • Транзистор
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:450mA
  • Напряжение истока стока Vds: 400 В
  • On Resistance Rds(on):4.2ohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Тип корпуса транзистора: SOIC
  • Количество контактов: 8
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:450mA
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Количество транзисторов: 2
  • Упаковка / ящик: SOIC
  • Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт
  • Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт
  • Pulse Current Idm:1.8A
  • Тип завершения: SMD
  • Voltage Vds:400V
  • Максимальное напряжение Vgs: 25 В
  • Voltage Vgs th Max:4V

Документы по ON Semiconductor FQS4901TF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 17.10.2000)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)

Товары похожие на ON Semiconductor FQS4901TF, сравнение характеристик.

ON Semiconductor FQT7N10TF
Цена от 14,56 ₽ до 380,15 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -25.0 V to 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-223.
Текущий рейтинг -1.00 A.
Gate Charge 7.50 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 1.70 A.
Входная емкость 250 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 350 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -100 V.
ON Semiconductor FDD5612
Цена от 38,65 ₽ до 621,43 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Текущий рейтинг 18.0 A.
Gate Charge 7.50 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 18.0 A.
Входная емкость 660 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 42.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 36.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 4.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.