Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  JFET-транзисторы

ON Semiconductor
J111-D26Z

J111 Series N-Channel 35 V 20 mA Through Hole JFET Chopper Transistor - TO-92-3

Цена от 8,49 ₽ до 314,53 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor J111-D26Z на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 4
В наличии до 14000 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 8,49 ₽ до 314,53 ₽
Европейский союз
На складе 14000 шт.
MOQ 2000 шт.
Обновлено 07:46 21.02.2021
10,54 ₽ от 2000 шт.
9,96 ₽ от 4000 шт.
9,37 ₽ от 8000 шт.
8,79 ₽ от 12000 шт.
8,49 ₽ от 16000 шт.
Германия
На складе 2700 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 08:03 21.02.2021
18,87 ₽ от 100 шт.
14,97 ₽ от 500 шт.
13,03 ₽ от 2000 шт.
12,43 ₽ от 8000 шт.
Британия
На складе 898 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:32 20.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
314,53 ₽ от 5 шт.
187,32 ₽ от 10 шт.
92,26 ₽ от 100 шт.
68,50 ₽ от 500 шт.
58,71 ₽ от 2000 шт.
Британия
На складе 350 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
Америка 8
В наличии до 24393 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 9,74 ₽ до 50,94 ₽
США
На складе 11827 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:37 19.02.2021
Упаковка Tape & Reel
50,94 ₽ от 1 шт.
34,99 ₽ от 10 шт.
34,99 ₽ от 50 шт.
16,39 ₽ от 100 шт.
12,73 ₽ от 1000 шт.
9,74 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 4256 шт.
MOQ 101 шт.
Обновлено 17:47 20.02.2021
16,04 ₽ от 101 шт.
15,34 ₽ от 250 шт.
15,18 ₽ от 500 шт.
14,15 ₽ от 1000 шт.
10,21 ₽ от 3000 шт.
США
На складе 4256 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:26 20.02.2021
Упаковка Cut Tape
44,74 ₽ от 1 шт.
33,59 ₽ от 10 шт.
33,28 ₽ от 25 шт.
16,69 ₽ от 100 шт.
15,95 ₽ от 250 шт.
15,79 ₽ от 500 шт.
14,72 ₽ от 1000 шт.
10,62 ₽ от 3000 шт.
США
На складе 864 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:02 20.02.2021
Упаковка Cut Tape (5 шт.)
49,98 ₽ от 5 шт.
38,23 ₽ от 10 шт.
19,00 ₽ от 100 шт.
США
На складе 825 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 10000 шт.
MOQ 2000 шт.
Обновлено 18:17 19.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 3080 шт.
Обновлено 00:25 19.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 24393 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
Азия 4
В наличии до 12000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 10,14 ₽ до 62,66 ₽
Китай
На складе 4256 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 20.02.2021
49,86 ₽ от 1 шт.
32,17 ₽ от 10 шт.
32,42 ₽ от 25 шт.
16,17 ₽ от 100 шт.
15,36 ₽ от 250 шт.
15,21 ₽ от 500 шт.
14,41 ₽ от 1000 шт.
10,14 ₽ от 3000 шт.
Сингапур
На складе 864 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:55 20.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
62,66 ₽ от 1 шт.
47,74 ₽ от 10 шт.
43,03 ₽ от 25 шт.
22,72 ₽ от 100 шт.
20,12 ₽ от 500 шт.
15,69 ₽ от 1000 шт.
Малайзия
На складе 812 шт.
Обновлено 00:56 16.02.2021
Цена по запросу.
Израиль
На складе 12000 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Океания 1
В наличии до 250 шт.
MOQ от 100 шт.
Австралия
На складе 250 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor J111-D26Z, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
TO-92
Текущий рейтинг:
50.0 mA
Continuous Drain Current (Ids):
20.0 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Рассеяние мощности:
625 mW (max)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
35.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
35.0 V
  • J111 Series N-Channel 35 V 20 mA Through Hole JFET Chopper Transistor - TO-92-3
  • Transistor, jfet, n-Channel, 40V V(Br)Dss, 20Ma I(Dss), to-92 Rohs Compliant: Yes
  • N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from Process 51.

Документы по ON Semiconductor J111-D26Z, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(10 страниц, 02.11.2017)
Заявление Rohs
(3 страницы, 22.02.2014)
Лист материалов
(3 страницы, 22.02.2014)
Заявление о достижении
(3 страницы, 09.08.2014)

Товары похожие на ON Semiconductor J111-D26Z, сравнение характеристик.

ON Semiconductor J113
Цена от 6,56 ₽ до 293,56 ₽
Напряжение пробоя -35.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 40.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 2.00 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Box.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 100 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor J111
Цена от 8,82 ₽ до 329,90 ₽
Напряжение пробоя -35.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 20.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 30.0 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor J112
Цена от 9,21 ₽ до 255,82 ₽
Напряжение пробоя -35.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 35.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 5.00 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk, Box.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 50.0 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor J112-D26Z
Цена от 15,74 ₽ до 53,95 ₽
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 5.00 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 50.0 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor J111-D74Z
Цена от 8,53 ₽ до 48,72 ₽
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 20.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Ammo Pack.
Рассеяние мощности 625 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor J112-D27Z
Цена от до
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 5.00 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Reel.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 50.0 Ω.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor J112G
Цена от 24,11 ₽ до 103,96 ₽
Напряжение пробоя -35.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 35.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -65.0 °C to 150 °C.
Упаковка Box.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 350 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor J112RLRAG
Цена от 24,47 ₽ до 46,59 ₽
Напряжение пробоя 35.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 35.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -65.0 °C to 150 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 350 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor J112_D74Z
Цена от до
Напряжение пробоя -35.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 35.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 5.00 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 50.0 Ω.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor J111RL1G
Цена от 13,15 ₽ до 15,31 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] 35.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 350 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.