Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  JFET-транзисторы

ON Semiconductor
MMBFJ309LT1G

Transistor; JFET - VHF/UHF Amplifier; 25 VDC; 10 mADC; SOT-23 (TO-236); Pb-Free

Цена от 6,88 ₽ до 336,89 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor MMBFJ309LT1G на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена

Технические характеристики ON Semiconductor MMBFJ309LT1G, атрибуты и параметры.

Напряжение пробоя:
-25.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
25.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23-3
Halogen Free Status:
Halogen Free
Continuous Drain Current (Ids):
10.0 mA
Входная емкость:
5.00 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
225 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
25.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-25.0 V
  • Транзистор
  • JFET - VHF/UHF Amplifier
  • 25 VDC
  • 10 mADC
  • СОТ-23 (ТО-236)
  • Без свинца
  • N-Channel 25 V 10 mA Surface Mount VHF/UHF Amplifier Transistor JFET - SOT-23
  • Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R - Bulk (Alt: MMBFJ309LT1G)

Документы по ON Semiconductor MMBFJ309LT1G, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(, 13.02.2006)
Заявление Rohs
(, 17.08.2012)
Лист материалов
Заявление о достижении
(, 14.01.2015)

Товары похожие на ON Semiconductor MMBFJ309LT1G, сравнение характеристик.

ON Semiconductor MMBFU310LT1G
Цена от 9,74 ₽ до 321,52 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Halogen Free Status Halogen Free.
Continuous Drain Current (Ids) 10.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor MMBFJ310LT3G
Цена от 11,29 ₽ до 374,64 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Halogen Free Status Halogen Free.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.