Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  JFET-транзисторы

ON Semiconductor
MMBFU310LT1G

MMBFU310LT1G Series N-Channel 25 V 10 mA JFET Transistor - SOT-23

Цена от 9,74 ₽ до 321,52 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor MMBFU310LT1G на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Avnet Europe
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 07:46 21.02.2021
18,39 ₽ от 3000 шт.
17,37 ₽ от 6000 шт.
16,35 ₽ от 12000 шт.
15,33 ₽ от 18000 шт.
14,82 ₽ от 24000 шт.
Farnell
На складе 4422 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:32 20.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
321,52 ₽ от 5 шт.
209,68 ₽ от 10 шт.
123,02 ₽ от 100 шт.
83,87 ₽ от 500 шт.
72,69 ₽ от 3000 шт.
69,89 ₽ от 9000 шт.
68,50 ₽ от 24000 шт.
67,10 ₽ от 45000 шт.
Quest
На складе 1828 шт.
Обновлено 14:20 20.02.2021
21,65 ₽ от 1 шт.
16,24 ₽ от 28 шт.
13,53 ₽ от 72 шт.
9,74 ₽ от 427 шт.
Rochester Electronics
На складе 1778 шт.
Обновлено 10:03 21.02.2021
14,14 ₽ от 1 шт.
13,86 ₽ от 25 шт.
13,58 ₽ от 100 шт.
13,30 ₽ от 500 шт.
13,01 ₽ от 1000 шт.
Mouser
На складе 60434 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:37 19.02.2021
Упаковка Tape & Reel
49,83 ₽ от 1 шт.
37,20 ₽ от 10 шт.
37,20 ₽ от 50 шт.
21,59 ₽ от 100 шт.
14,73 ₽ от 1000 шт.
13,84 ₽ от 10000 шт.
Digi-Key
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:11 20.02.2021
Упаковка Tape & Reel
16,56 ₽ от 3000 шт.
15,88 ₽ от 6000 шт.
Verical
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:47 20.02.2021
16,24 ₽ от 3000 шт.
Digi-Key
На складе 6000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:11 20.02.2021
Упаковка Cut Tape
60,90 ₽ от 1 шт.
47,61 ₽ от 10 шт.
45,53 ₽ от 25 шт.
28,58 ₽ от 100 шт.
26,46 ₽ от 500 шт.
17,99 ₽ от 1000 шт.
Avnet
На складе 2994 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
52,17 ₽ от 1 шт.
39,04 ₽ от 10 шт.
22,80 ₽ от 100 шт.
19,12 ₽ от 500 шт.
Newark
На складе 2991 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:02 20.02.2021
Упаковка Cut Tape (6000 шт.)
52,17 ₽ от 1 шт.
39,04 ₽ от 10 шт.
22,80 ₽ от 100 шт.
19,12 ₽ от 500 шт.
NAC Semi
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 18:17 19.02.2021
21,32 ₽ от 3000 шт.
Arrow Electronics
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:26 20.02.2021
Упаковка Cut Tape
38,35 ₽ от 1 шт.
Component Electronics
На складе 1970 шт.
Обновлено 17:07 26.01.2021
44,29 ₽ от 1 шт.
Avnet
На складе 1778 шт.
MOQ 2742 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
Цена по запросу.
Touchstone Systems
На складе 2954 шт.
Обновлено 16:14 17.02.2021
Цена по запросу.
Semi Source
На складе 6013 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 4620 шт.
Обновлено 00:25 19.02.2021
Цена по запросу.
Abacus Technologies
На складе 12196 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
Win Source Electronics
На складе 5979 шт.
MOQ 245 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
26,49 ₽ от 245 шт.
21,77 ₽ от 585 шт.
21,14 ₽ от 905 шт.
20,50 ₽ от 1245 шт.
19,86 ₽ от 1605 шт.
17,83 ₽ от 2145 шт.
element14 APAC
На складе 4422 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:55 20.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
66,03 ₽ от 1 шт.
48,90 ₽ от 10 шт.
28,68 ₽ от 100 шт.
19,54 ₽ от 1000 шт.
Arrow.cn
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 20.02.2021
44,55 ₽ от 1 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor MMBFU310LT1G, атрибуты и параметры.

Напряжение пробоя:
-25.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
25.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23-3
Текущий рейтинг:
10.0 mA
Halogen Free Status:
Halogen Free
Continuous Drain Current (Ids):
10.0 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
225 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
25.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
25.0 V
  • MMBFU310LT1G Series N-Channel 25 V 10 mA JFET Transistor - SOT-23
  • TRANSISTOR, JFET
  • N-CHANNEL
  • 25
  • 10 GATE TRIGGER
  • -25 VDC (MIN.)
  • 2.5 PF (MAX.)
  • Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
  • Напряжение пробоя Vbr: 25 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:24Ma
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:60Ma
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(Off) Max:6V
  • Transistor Type:jfet
  • No. Of Pins:3 Pin
  • Ассортимент продукции: - Соответствие Rohs: Да

Документы по ON Semiconductor MMBFU310LT1G, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(4 страницы)
Заявление Rohs
(1 страница, 17.08.2012)
Лист материалов
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)

Товары похожие на ON Semiconductor MMBFU310LT1G, сравнение характеристик.

ON Semiconductor MMBFJ310LT3G
Цена от 11,29 ₽ до 374,64 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Halogen Free Status Halogen Free.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor MMBF5484
Цена от 6,68 ₽ до 18,46 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-323.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor MMBFJ310
Цена от 11,06 ₽ до 20,73 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-323, SOT-23.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 60.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 350 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor JFTJ105
Цена от 28,49 ₽ до 33,16 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-223, TO-92.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 500 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 4.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 3.00 Ω.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor J211_D74Z
Цена от до
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 15.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Ammo Pack.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 350 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 1.50 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor J310G
Цена от до
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -65.0 °C to 125 °C.
Упаковка Box.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 350 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor 2N5458G
Цена от до
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Box.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 310 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 2.00 mΩ.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.