Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  JFET-транзисторы

ON Semiconductor
MMBF5484

MMBF5484 Series 25 V 400 MHz SMT N-Channel RF Amplifier - SOT-23-3

Цена от 6,77 ₽ до 18,71 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor MMBF5484 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Rochester Electronics
На складе 23926 шт.
Обновлено 10:11 01.03.2021
7,35 ₽ от 1 шт.
7,20 ₽ от 25 шт.
7,06 ₽ от 100 шт.
6,91 ₽ от 500 шт.
6,77 ₽ от 1000 шт.
One Stop Electro
На складе 732 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Chip 1 Exchange
На складе 1352 шт.
Обновлено 11:19 27.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 1053 шт.
Обновлено 22:47 24.02.2021
Цена по запросу.
Win Source Electronics
На складе 9676 шт.
MOQ 345 шт.
Обновлено 12:30 26.02.2021
18,71 ₽ от 345 шт.
15,36 ₽ от 845 шт.
14,97 ₽ от 1295 шт.
14,45 ₽ от 1790 шт.
14,06 ₽ от 2295 шт.
12,65 ₽ от 3065 шт.
J2 Sourcing
На складе 2900 шт.
Обновлено 07:20 22.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor MMBF5484, атрибуты и параметры.

Напряжение пробоя:
-25.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-323
Текущий рейтинг:
10.0 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
225 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
25.0 V
  • MMBF5484 Series 25 V 400 MHz SMT N-Channel RF Amplifier - SOT-23-3
  • This device is designed primarily for electronic switching applications such as low On Resistance analog switching. Sourced from Process 50.
  • JFET, N CH, 25V, 0.01A, SOT23
  • Transistor Type:JFET
  • Breakdown Voltage Vbr:-25V
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss:1mA to 5mA
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-3V
  • Power Dissipation Pd:225mW
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:SOT-23
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Упаковка / ящик: SOT-23
  • Power Dissipation Pd:225mW
  • Тип завершения: SMD
  • Transistor Polarity:N Channel

Документы по ON Semiconductor MMBF5484, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)

Товары похожие на ON Semiconductor MMBF5484, сравнение характеристик.

ON Semiconductor MMBFJ309LT1G
Цена от 6,97 ₽ до 340,88 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Halogen Free Status Halogen Free.
Continuous Drain Current (Ids) 10.0 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -25.0 V.
ON Semiconductor MMBFU310LT1G
Цена от 9,87 ₽ до 325,32 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Halogen Free Status Halogen Free.
Continuous Drain Current (Ids) 10.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor MMBFJ310LT3G
Цена от 11,97 ₽ до 379,07 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Halogen Free Status Halogen Free.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor J109
Цена от 15,75 ₽ до 326,74 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 40.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 12.0 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor MMBFJ108
Цена от 17,28 ₽ до 291,73 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 80.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 350 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 8.00 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor J107
Цена от 32,06 ₽ до 626,60 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 100 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 100 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 8.00 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor J105
Цена от 32,20 ₽ до 605,38 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 500 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 500 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 3.00 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor MMBFJ310
Цена от 11,20 ₽ до 21,00 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-323, SOT-23.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 60.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 350 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
NXP Semiconductors BF861B,215
Цена от 34,66 ₽ до 34,66 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -65.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
NXP Semiconductors PMBFJ110,215
Цена от до
Напряжение пробоя -25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -65.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.