ON Semiconductor
NTK3134NT1G
NTK3134N: Small Signal MOSFET 20V 890mA 350 mOhm Single N-Channel SOT-723 with ESD Protection
Цена от 7,45 ₽ до 67,09 ₽
Наличие ON Semiconductor NTK3134NT1G на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 11574 шт.
MOQ 222 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 755 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
На складе 2191388 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
На складе 2191388 шт.
MOQ 3969 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
На складе 9501 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 8000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 01:49 04.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 64000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
На складе 8150 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:49 04.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 1306 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
На складе 83 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 12000 шт.
Обновлено 22:39 02.03.2021
Цена по запросу.
На складе 976 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 670 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
На складе 750 шт.
Обновлено 19:22 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 92013 шт.
Обновлено 21:58 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 3959 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 3750 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 11574 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 11:23 03.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 555 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 23:27 02.03.2021
На складе 68000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
На складе 302654 шт.
MOQ 325 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
На складе 1306 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 83 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:37 03.03.2021
Технические характеристики ON Semiconductor NTK3134NT1G, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-6.00 V to 6.00 V
Continuous Drain Current (Ids):
890 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
310 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
200 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
- NTK3134N: Small Signal MOSFET 20V 890mA 350 mOhm Single N-Channel SOT-723 with ESD Protection
- NTK3134NT1G N-channel MOSFET Transistor
- 0.99 A
- 20 В
- 3-Pin SOT-723
- N-Channel 20 V 200 mOhm 450 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-723
- MOSFET N Trench 20V 890mA 1.2V @ 250uA 350 m¦¸ @ 890mA,4.5V SOT-723 RoHS
Документы по ON Semiconductor NTK3134NT1G, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor NTK3134NT1G, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 6.60 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7317.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 5.20 A.
Continuous Drain Current (Ids) 5.70 A, 5.20 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Roll, Reel.
Part Family IRF7307.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 90.0 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 6.60 A.
Continuous Drain Current (Ids) 6.60 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7311.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 17.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Текущий рейтинг 3.20 A.
Halogen Free Status Halogen Free.
Continuous Drain Current (Ids) 3.20 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 85.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Текущий рейтинг 1.70 A.
Gate Charge 3.50 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 1.70 A.
Входная емкость 40.0 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 500 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 55.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.50 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Текущий рейтинг 630 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 630 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 270 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 510 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 2.09 A.
Continuous Drain Current (Ids) 2.20 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 225 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 5.21 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 2.80 A.
Continuous Drain Current (Ids) 2.80 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 85.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Continuous Drain Current (Ids) 660 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 6.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 200 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 385 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Continuous Drain Current (Ids) 200 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 5.00 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Continuous Drain Current (Ids) 2.40 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 830 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 200 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.