STMicroelectronics
STU4N52K3
N-канал 525 В, 2,5 А, 2,1 Ом тип., Силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH3 (TM) в корпусе IPAK
Цена от 27,48 ₽ до 122,91 ₽
Наличие STMicroelectronics STU4N52K3 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 2999 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:37 19.02.2021
Упаковка Tube На складе 2750 шт.
MOQ 15 шт.
Обновлено 17:45 19.02.2021
На складе 5625 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
На складе 2750 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:19 19.02.2021
На складе 2559 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:19 19.02.2021
Упаковка Tube На складе 4650 шт.
MOQ 75 шт.
Обновлено 18:17 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1964 шт.
Обновлено 00:25 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 116 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 7800 шт.
MOQ 75 шт.
Обновлено 07:24 19.02.2021
На складе 1500 шт.
Обновлено 14:03 18.02.2021
Цена по запросу.
На складе 75 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 5850 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики STMicroelectronics STU4N52K3, атрибуты и параметры.
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
- N-канал 525 В, 2,5 А, 2,1 Ом тип., Силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH3 (TM) в корпусе IPAK
- МОП-транзистор, канал N, 2,5 А, 525 В, 2,1 Ом, 10 В, 3,75 В
- Trans MOSFET N-CH 525V 2.5A 3-контактный (3 + Tab) TO-220 Tube
- Силовой полевой транзистор, 2,5 А, I (D), 525 В, 2,6 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB
- МОП-транзистор, N CH, 525 В, 2.5 А, К 220
- Transistor Polarity:N Channel
- Id постоянного тока утечки: 2,5 А
- Напряжение истока стока Vds: 525V
- On Resistance Rds(on):2.1ohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 3,75 В
- Рассеиваемая мощность Pd: 45 Вт
- Тип корпуса транзистора: TO-220
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2012 г.)
Документы по STMicroelectronics STU4N52K3, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на STMicroelectronics STU4N52K3, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 35.0 A.
Gate Charge 63.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 49.0 A, 41.0 A.
Входная емкость 1.47 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRFZ44N.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 83.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 17.5 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 60.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V, 55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 98.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 98.0 A, 110 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRFP064N.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 150 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 8.00 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 100 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Continuous Drain Current (Ids) 260 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Part Family IRLB3813.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 230 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 500 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Текущий рейтинг 8.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 8.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 125 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 850 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 23.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 500 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 500 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V (min).
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Текущий рейтинг 17.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 17.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube, Bulk.
Part Family IRF530N.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 70.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 90.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 22.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Part Family IRFB3607.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 140 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7341.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 50.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 3.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 64.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 64.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRFZ48N.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 94.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 78.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7343.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Текущий рейтинг 210 A.
Continuous Drain Current (Ids) 210 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRFB3077.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 370 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 87.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V (min).
Текущий рейтинг 169 A.
Continuous Drain Current (Ids) 169 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF1405.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 330 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 4.60 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 190 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.