Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Toshiba
SSM3J118TU(TE85L)

Trans MOSFET P-CH Si 30V 1.4A 3-Pin UFM T/R

Цена от 13,43 ₽ до 52,59 ₽

Наличие Toshiba SSM3J118TU(TE85L) на складах.

Склад
Наличие и цена
Азия 1
В наличии до 8 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена 52,59 ₽
Япония
На складе 8 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 11:23 03.03.2021
Упаковка Bulk
52,59 ₽ от 5 шт.
Америка 1
В наличии до 1865 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 13,43 ₽ до 45,31 ₽
США
На складе 1865 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Cut Tape
45,31 ₽ от 1 шт.
35,58 ₽ от 10 шт.
33,99 ₽ от 25 шт.
21,33 ₽ от 100 шт.
19,75 ₽ от 500 шт.
13,43 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики Toshiba SSM3J118TU(TE85L), атрибуты и параметры.

Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Полярность:
P-Channel
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
360 mΩ
RoHS:
Non-Compliant
  • Trans MOSFET P-CH Si 30V 1.4A 3-Pin UFM T/R
  • Small-signal MOSFET

Товары похожие на Toshiba SSM3J118TU(TE85L), сравнение характеристик.

ON Semiconductor NTJD4105CT1G
Цена от 9,02 ₽ до 369,27 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Текущий рейтинг 630 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 775 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 270 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 360 mΩ, 510 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
ON Semiconductor NTJD4105CT2G
Цена от 6,44 ₽ до 301,50 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Текущий рейтинг 630 mA.
Gate Charge 3.00 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 775 mA, 910 mA.
Входная емкость 46.0 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 270 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 360 mΩ, 510 mΩ.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
ON Semiconductor FQB10N20LTM
Цена от 63,28 ₽ до 68,78 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 200 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-263.
Текущий рейтинг 10.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 10.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tape.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 3.13 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 360 mΩ.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 200 V.
ON Semiconductor NTJD4105CT1
Цена от до
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Текущий рейтинг 630 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 775 mA.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 270 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 360 mΩ, 510 mΩ.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 8.00 V.
ON Semiconductor NTJD4105CT2
Цена от до
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Текущий рейтинг 630 mA.
Gate Charge 3.00 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 775 mA.
Входная емкость 46.0 pF.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 270 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 360 mΩ, 510 mΩ.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 8.00 V.
ON Semiconductor NTJD4105CT4
Цена от до
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Текущий рейтинг 630 mA.
Gate Charge 3.00 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 775 mA.
Входная емкость 46.0 pF.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 270 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 360 mΩ, 510 mΩ.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 8.00 V.
ON Semiconductor NTJD4105CT4G
Цена от до
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Текущий рейтинг 630 mA.
Gate Charge 3.00 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 775 mA.
Входная емкость 46.0 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 270 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 360 mΩ, 510 mΩ.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 8.00 V.