Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG7N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Цена от 146,34 ₽ до 375,00 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG7N60A4D на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Quest
На складе 90 шт.
Обновлено 11:25 16.02.2021
243,90 ₽ от 1 шт.
224,39 ₽ от 3 шт.
195,12 ₽ от 14 шт.
146,34 ₽ от 45 шт.
Avnet
На складе 900 шт.
MOQ 450 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
205,36 ₽ от 450 шт.
202,47 ₽ от 900 шт.
196,68 ₽ от 1800 шт.
192,35 ₽ от 2700 шт.
185,11 ₽ от 3600 шт.
180,78 ₽ от 4500 шт.
176,44 ₽ от 45000 шт.
Verical
На складе 54 шт.
MOQ 6 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
321,56 ₽ от 6 шт.
290,60 ₽ от 10 шт.
271,48 ₽ от 50 шт.
184,74 ₽ от 100 шт.
Rochester Electronics
На складе 52 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
204,41 ₽ от 1 шт.
200,32 ₽ от 25 шт.
196,24 ₽ от 100 шт.
192,14 ₽ от 500 шт.
188,05 ₽ от 1000 шт.
Arrow Electronics
На складе 54 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
334,42 ₽ от 1 шт.
302,22 ₽ от 10 шт.
282,34 ₽ от 50 шт.
192,13 ₽ от 100 шт.
Verical
На складе 900 шт.
MOQ 450 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
193,14 ₽ от 450 шт.
Arrow.cn
На складе 54 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
375,00 ₽ от 1 шт.
337,08 ₽ от 10 шт.
314,86 ₽ от 50 шт.
211,94 ₽ от 100 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG7N60A4D, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
34.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Рассеяние мощности:
125 W
Время нарастания:
11.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • IGBT, N, TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • Полярность транзистора: N
  • Напряжение, В: 600 В
  • Current Ic Continuous a Max:34A
  • Voltage, Vce Sat Max:2.7V
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • Case Style:TO-247
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current, Icm Pulsed:56A
  • Количество контактов: 3
  • Мощность, Pd: 125 Вт
  • Температура, ток: 25 ° C
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Time, Fall:45ns
  • Time, Fall Typ:45ns
  • Time, Rise:11ns
  • Транзисторы, Кол-во: 1
  • The HGTP7N60A4D combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.

Документы по ON Semiconductor HGTG7N60A4D, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(13 страниц, 12.05.2020)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Лист материалов
(3 страницы, 07.12.2013)
Заявление о достижении
(3 страницы, 09.08.2014)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTG7N60A4D, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTP7N60A4
Цена от 112,58 ₽ до 1 219,53 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 34.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 125 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor FGH20N6S2D
Цена от 79,73 ₽ до 92,80 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 28.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Рассеяние мощности 125 W.
Время нарастания 4.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor FGB20N6S2D
Цена от 69,90 ₽ до 81,36 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 28.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tube.
Рассеяние мощности 125 W.
Время нарастания 4.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor FGP20N6S2
Цена от 50,24 ₽ до 58,48 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 28.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Рассеяние мощности 125 W.
Время нарастания 4.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor FGH20N6S2
Цена от 73,18 ₽ до 85,18 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 28.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Рассеяние мощности 125 W.
Время нарастания 4.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Fairchild Semiconductor HGTG7N60A4
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 34.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Рассеяние мощности 125 W.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGP12NB60K
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 18.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 18.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Рассеяние мощности 125 W.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor FGP20N6S2D
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 28.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Рассеяние мощности 125 W.
Время нарастания 4.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Fairchild Semiconductor HGTP7N60A4D
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 34.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Rail.
Рассеяние мощности 125 W.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGP12NB60KD
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 18.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 18.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Рассеяние мощности 125 W.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.