Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
FGH20N6S2D

TO-247, Comp, N-ch 600V Smps II Series Igbt W/stealth Diode

Цена от 79,73 ₽ до 92,80 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FGH20N6S2D на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Avnet
На складе 48061 шт.
MOQ 440 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
92,80 ₽ от 440 шт.
91,50 ₽ от 450 шт.
88,88 ₽ от 890 шт.
86,92 ₽ от 2200 шт.
83,65 ₽ от 4400 шт.
81,69 ₽ от 22000 шт.
79,73 ₽ от 44000 шт.
Rochester Electronics
На складе 48061 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
87,98 ₽ от 1 шт.
86,22 ₽ от 25 шт.
84,45 ₽ от 100 шт.
82,70 ₽ от 500 шт.
80,94 ₽ от 1000 шт.
Andel Nordic
На складе 763 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FGH20N6S2D, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
28.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Through Hole
Упаковка:
Tube
Рассеяние мощности:
125 W
Время нарастания:
4.50 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • TO-247, COMP, N-CH 600V SMPS II SERIES IGBT W/STEALTH DIODE
  • IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO247
  • IGBTs Comp, N-Ch 600V
  • N-CHANNEL IGBT
  • Контакт для деталей

Документы по ON Semiconductor FGH20N6S2D, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 26.07.2002)
Заявление о достижении
(2 страницы, 20.12.2012)
Заявление Rohs
(1 страница, 26.04.2012)

Товары похожие на ON Semiconductor FGH20N6S2D, сравнение характеристик.

Infineon IRGP20B60PDPBF
Цена от 229,45 ₽ до 793,24 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP20B60PD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 220 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60B3D
Цена от 313,21 ₽ до 4 014,01 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Рассеяние мощности 208 W (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 25.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Infineon IRGP50B60PD1PBF
Цена от 441,62 ₽ до 4 710,88 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP50B60PD1.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 390 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 10.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4
Цена от 263,65 ₽ до 3 456,51 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4
Цена от 220,37 ₽ до 3 163,82 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW39NC60VD
Цена от 164,49 ₽ до 3 275,32 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Gate Charge 126 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG40N60B3
Цена от 241,03 ₽ до 7 198,73 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4D
Цена от 307,91 ₽ до 697,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW20NC60VD
Цена от 133,75 ₽ до 2 843,25 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 30.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF10NC60KD
Цена от 56,18 ₽ до 1 010,47 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF14NC60KD
Цена от 53,18 ₽ до 1 121,97 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 11.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 28.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.