Наличие Vishay SI4490DY-T1-E3 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 15854 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 84,87 ₽ до 224,06 ₽
На складе 7500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 01:53 05.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 5000 шт.
Обновлено 07:19 04.03.2021
На складе 15854 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
На складе 2364 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 5000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 2364 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 2333 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 967 шт.
MOQ 11 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 967 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 9080 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:53 05.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 2 шт.
Обновлено 16:42 28.02.2021
Цена по запросу.
На складе 2513 шт.
Обновлено 21:58 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 100 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
Цена по запросу.
В наличии до 967 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 137,27 ₽ до 310,90 ₽
На складе 967 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:27 02.03.2021
В наличии до 350 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 350 шт.
Обновлено 01:05 01.03.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Vishay SI4490DY-T1-E3, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SO
Continuous Drain Current (Ids):
4.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
1.56 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
80.0 mΩ
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
200 V
- SI4490DY-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor
- 2.8 A
- 200 V
- 8-контактный SOIC
- Single N-Channel 200 V 0.08 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
- Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
- N CHANNEL MOSFET, 200V, 4A, SOIC
- Transi
- N CHANNEL MOSFET, 200V, 4A, SOIC
- Transistor Polarity:N Channel
- Идентификатор постоянного тока утечки: 4A
- Напряжение источника стока Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on):800mohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 2 В
Документы по Vishay SI4490DY-T1-E3, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Vishay SI4490DY-T1-E3, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Текущий рейтинг 3.10 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.10 mA, 4.10 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 1.13 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Текущий рейтинг 3.10 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.90 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 1.10 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ, 200 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -30.0 V to 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SO, SOIC.
Текущий рейтинг 2.90 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -16.0 V to 16.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -4.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tape.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, Dual P-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -16.0 V to 16.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -4.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, Dual P-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 35.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -16.0 V to 16.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 5.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 35.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -30.0 V to 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.40 A.
Gate Charge 4.10 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 4.10 A.
Входная емкость 185 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tape.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 3.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
Время нарастания 30.0 ns (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -4.40 A.
Gate Charge 20.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 5.10 A.
Входная емкость 950 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tape, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
Время нарастания 29.9 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.