Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRF1302PBF

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

Цена от 118,57 ₽ до 175,63 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRF1302PBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Азия 1
В наличии до 5983 шт.
MOQ от 40 шт.
Цена от 118,57 ₽ до 175,63 ₽
Китай
На складе 5983 шт.
MOQ 40 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
175,63 ₽ от 40 шт.
144,88 ₽ от 90 шт.
140,43 ₽ от 140 шт.
136,11 ₽ от 190 шт.
131,66 ₽ от 245 шт.
118,57 ₽ от 325 шт.

Технические характеристики Infineon IRF1302PBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Текущий рейтинг:
180 A
Continuous Drain Current (Ids):
180 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Pending Obsolescence
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRF1302
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
230 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
130 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
20.0 V
  • 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
  • Trans MOSFET N-CH 20V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
  • MOSFET, 20V, 180A, 4 MOHM, 79 NC QG, TO-220AB
  • MOSFET, N, 20V, 180A, TO-220
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:180A
  • Напряжение источника стока Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on):4mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Power Dissipation Pd:230W
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:180A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.65°C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:4ohm
  • Package / Case:TO-220AB
  • Power Dissipation Pd:230W
  • Power Dissipation Pd:230W
  • Pulse Current Idm:700A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Напряжение Vds Typ: 20 В
  • Максимальное напряжение Vgs: 4 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по Infineon IRF1302PBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 07.07.2010)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)

Товары похожие на Infineon IRF1302PBF, сравнение характеристик.

ON Semiconductor NTR4501NT1G
Цена от 3,45 ₽ до 370,65 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Текущий рейтинг 3.20 A.
Halogen Free Status Halogen Free.
Continuous Drain Current (Ids) 3.20 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 85.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
ON Semiconductor FDN335N
Цена от 7,56 ₽ до 260,01 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Текущий рейтинг 1.70 A.
Gate Charge 3.50 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 1.70 A.
Входная емкость 40.0 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 500 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 55.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.50 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Diodes Inc. ZXMN2A01FTA
Цена от 7,01 ₽ до 315,33 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 2.09 A.
Continuous Drain Current (Ids) 2.20 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 225 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 5.21 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
ON Semiconductor MGSF2N02ELT1G
Цена от 4,58 ₽ до 301,50 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 2.80 A.
Continuous Drain Current (Ids) 2.80 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 85.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
ON Semiconductor NDS331N
Цена от 6,38 ₽ до 311,18 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 8.00 V.
Текущий рейтинг 1.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 1.30 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Reel, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 500 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 210 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
ON Semiconductor NTK3134NT1G
Цена от 7,45 ₽ до 67,09 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -6.00 V to 6.00 V.
Continuous Drain Current (Ids) 890 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 310 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 200 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
ON Semiconductor FDN339AN
Цена от 11,03 ₽ до 352,67 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Текущий рейтинг 3.00 A.
Gate Charge 7.00 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 3.00 A.
Входная емкость 700 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 500 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 29.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 10.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
ON Semiconductor FDV305N
Цена от 9,02 ₽ до 313,95 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 900 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 900 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Reel, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 350 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 164 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
ON Semiconductor FDN327N
Цена от 4,97 ₽ до 318,10 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Текущий рейтинг 2.00 A.
Gate Charge 4.50 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 2.00 A.
Входная емкость 423 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 500 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 40.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.50 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
ON Semiconductor MGSF1N02LT1G
Цена от 10,56 ₽ до 388,63 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 750 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 750 mA.
Входная емкость 125 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 400 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 90.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 1.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
ON Semiconductor FDD3706
Цена от 43,01 ₽ до 864,40 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Текущий рейтинг 50.0 A.
Gate Charge 16.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 50.0 A.
Входная емкость 1.88 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 175 °C (max).
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 44.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 9.00 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 15.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.