Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRF1407PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 75V; Rds(on) 0.0078 Ohm; Id 130A; TO-220AB; Pd 330W; Vgs +/-20

Цена от 66,46 ₽ до 284,22 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRF1407PBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 8
В наличии до 4000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 87,93 ₽ до 258,59 ₽
США
На складе 398 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
95,57 ₽ от 1 шт.
93,67 ₽ от 25 шт.
91,76 ₽ от 100 шт.
89,84 ₽ от 500 шт.
87,93 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 87 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
209,17 ₽ от 1 шт.
173,54 ₽ от 10 шт.
137,91 ₽ от 100 шт.
117,23 ₽ от 500 шт.
99,30 ₽ от 1000 шт.
94,36 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 898 шт.
MOQ 405 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
103,35 ₽ от 405 шт.
100,82 ₽ от 410 шт.
99,40 ₽ от 820 шт.
96,56 ₽ от 2100 шт.
94,43 ₽ от 4100 шт.
США
На складе 300 шт.
MOQ 200 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
117,23 ₽ от 200 шт.
109,50 ₽ от 300 шт.
США
На складе 471 шт.
MOQ 22 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
122,86 ₽ от 22 шт.
120,61 ₽ от 50 шт.
115,26 ₽ от 100 шт.
113,42 ₽ от 200 шт.
США
На складе 43 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
258,59 ₽ от 1 шт.
237,90 ₽ от 3 шт.
206,87 ₽ от 13 шт.
155,15 ₽ от 43 шт.
США
На складе 6 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
172,39 ₽ от 1 шт.
158,60 ₽ от 4 шт.
США
На складе 4000 шт.
Обновлено 14:32 04.03.2021
Цена по запросу.
Европа 3
В наличии до 735 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 112,90 ₽ до 284,22 ₽
Польша
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
156,24 ₽ от 1 шт.
143,69 ₽ от 3 шт.
130,01 ₽ от 10 шт.
112,90 ₽ от 50 шт.
Британия
На складе 735 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
240,56 ₽ от 50 шт.
194,16 ₽ от 250 шт.
169,50 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 60 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
284,22 ₽ от 5 шт.
232,66 ₽ от 10 шт.
Азия 7
В наличии до 66952 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 66,46 ₽ до 256,71 ₽
Китай
На складе 5080 шт.
MOQ 65 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
98,49 ₽ от 65 шт.
81,21 ₽ от 160 шт.
78,79 ₽ от 245 шт.
76,38 ₽ от 335 шт.
73,84 ₽ от 435 шт.
66,46 ₽ от 575 шт.
Китай
На складе 5500 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 11:14 04.03.2021
80,06 ₽ от 1000 шт.
80,06 ₽ от 10000 шт.
Китай
На складе 66952 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
131,02 ₽ от 50 шт.
108,15 ₽ от 120 шт.
104,84 ₽ от 185 шт.
101,54 ₽ от 255 шт.
98,24 ₽ от 325 шт.
88,45 ₽ от 435 шт.
Китай
На складе 3142 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:27 02.03.2021
154,30 ₽ от 1 шт.
113,53 ₽ от 10 шт.
106,11 ₽ от 30 шт.
98,69 ₽ от 100 шт.
95,22 ₽ от 500 шт.
93,61 ₽ от 1000 шт.
Япония
На складе 471 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:23 03.03.2021
Упаковка Tube
122,59 ₽ от 1 шт.
112,99 ₽ от 10 шт.
111,04 ₽ от 50 шт.
106,07 ₽ от 100 шт.
104,47 ₽ от 200 шт.
Китай
На складе 4000 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
Упаковка Tube
124,29 ₽ от 50 шт.
Китай
На складе 3736 шт.
Обновлено 11:28 26.02.2021
256,71 ₽ от 1 шт.

Технические характеристики Infineon IRF1407PBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
75.0 V
Текущий рейтинг:
130 A
Continuous Drain Current (Ids):
130 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRF1407
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
330 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
150 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
75.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
75.0 V
  • МОП-транзистор, мощность
  • N-Ch
  • VDSS 75V
  • RDS(ON) 0.0078Ohm
  • ID 130A
  • TO-220AB
  • PD 330 Вт
  • ВГС +/- 20
  • Single N-Channel 75 V 7.8 mOhm 160 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
  • 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
  • MOSFET, 75V, 130A, 7.8 MOHM, 160 NC QG, TO-220AB
  • Trans MOSFET N-CH Si 80V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • MOSFET, N, 75V, 130A, TO-220
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:130A
  • Drain Source Voltage Vds:75V
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 7,8 МОм
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:130A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45°C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:7.8ohm
  • Package / Case:TO-220AB
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:520A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:75V
  • Максимальное напряжение Vgs: 4 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • Преимущества: соответствие требованиям RoHS
  • Низкий RDS (вкл.)
  • Лучшее в отрасли качество
  • Динамический рейтинг dv / dt
  • Быстрое переключение
  • Полностью оценен от лавин
  • 175C Operating Temperature | Target Applications: Consumer Full-Bridge
  • Full-Bridge
  • Push-Pull

Документы по Infineon IRF1407PBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 14.07.2010)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)

Товары похожие на Infineon IRF1407PBF, сравнение характеристик.

Infineon IRF2807PBF
Цена от 50,45 ₽ до 1 244,73 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 82.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 82.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF2807.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 230 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 13.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 64.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
Infineon IRFR2407TRPBF
Цена от 51,86 ₽ до 1 802,33 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Текущий рейтинг 42.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 42.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tube.
Part Family IRFR2407.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 110 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 90.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
Infineon IRF3808PBF
Цена от 103,89 ₽ до 1 908,59 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Текущий рейтинг 140 A.
Continuous Drain Current (Ids) 140 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF3808.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 330 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 140 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
ON Semiconductor FDD16AN08A0
Цена от 60,73 ₽ до 1 016,53 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Текущий рейтинг 50.0 A.
Gate Charge 31.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 50.0 A.
Входная емкость 1.87 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 175 °C (max).
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 135 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 16.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 54.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
ON Semiconductor FDP75N08A
Цена от 82,59 ₽ до 293,89 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Gate Charge 104 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 75.0 A.
Входная емкость 4.47 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 137 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 11.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
STMicroelectronics STP75NF75
Цена от 36,98 ₽ до 1 348,46 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 9.50 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 25.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
STMicroelectronics STP140NF75
Цена от 49,76 ₽ до 2 026,15 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 120 A.
Continuous Drain Current (Ids) 120 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 310 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 7.50 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
ON Semiconductor FDB045AN08A0
Цена от 79,93 ₽ до 630,95 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-263.
Текущий рейтинг 19.0 A.
Gate Charge 92.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Входная емкость 6.60 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 310 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 3.90 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 88.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
STMicroelectronics STB140NF75T4
Цена от 89,09 ₽ до 1 625,07 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Текущий рейтинг 120 A.
Continuous Drain Current (Ids) 120 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 310 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 7.50 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
ON Semiconductor FDP060AN08A0
Цена от 144,24 ₽ до 1 604,32 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Gate Charge 73.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Входная емкость 5.15 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 255 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 6.00 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 79.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.