Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRF3808PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 75V; Rds(on) 5.9MILLIOHMS; Id 140A; TO-220AB; Pd 330W; -55DE

Цена от 103,89 ₽ до 1 908,59 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRF3808PBF на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Schukat
На складе 1750 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 08:05 04.03.2021
204,69 ₽ от 10 шт.
153,52 ₽ от 50 шт.
127,54 ₽ от 200 шт.
122,80 ₽ от 500 шт.
Avnet Europe
На складе 600 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 07:18 04.03.2021
156,28 ₽ от 50 шт.
150,03 ₽ от 100 шт.
146,91 ₽ от 200 шт.
144,56 ₽ от 300 шт.
139,09 ₽ от 400 шт.
136,75 ₽ от 500 шт.
129,72 ₽ от 5000 шт.
RS Components
На складе 30 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
264,25 ₽ от 100 шт.
231,05 ₽ от 250 шт.
216,55 ₽ от 500 шт.
204,47 ₽ от 1000 шт.
RS Components
На складе 85 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
312,90 ₽ от 5 шт.
264,25 ₽ от 100 шт.
231,05 ₽ от 250 шт.
216,55 ₽ от 500 шт.
204,47 ₽ от 1000 шт.
Farnell
На складе 542 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
1 908,59 ₽ от 1 шт.
1 438,36 ₽ от 10 шт.
1 120,26 ₽ от 100 шт.
940,47 ₽ от 500 шт.
788,33 ₽ от 1000 шт.
Arrow Electronics
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
243,26 ₽ от 1 шт.
204,78 ₽ от 10 шт.
161,36 ₽ от 100 шт.
135,32 ₽ от 500 шт.
113,71 ₽ от 1000 шт.
103,89 ₽ от 2500 шт.
Rochester Electronics
На складе 147 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
114,71 ₽ от 1 шт.
112,42 ₽ от 25 шт.
110,12 ₽ от 100 шт.
107,83 ₽ от 500 шт.
105,54 ₽ от 1000 шт.
Mouser
На складе 1538 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tube
242,01 ₽ от 1 шт.
205,54 ₽ от 10 шт.
205,54 ₽ от 50 шт.
160,24 ₽ от 100 шт.
113,82 ₽ от 1000 шт.
113,82 ₽ от 10000 шт.
Digi-Key
На складе 513 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Tube
266,32 ₽ от 1 шт.
220,79 ₽ от 10 шт.
213,63 ₽ от 25 шт.
175,76 ₽ от 100 шт.
148,72 ₽ от 500 шт.
126,19 ₽ от 1000 шт.
119,88 ₽ от 2500 шт.
118,82 ₽ от 5000 шт.
Newark
На складе 542 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
314,90 ₽ от 1 шт.
267,78 ₽ от 10 шт.
208,02 ₽ от 100 шт.
176,99 ₽ от 500 шт.
152,85 ₽ от 1000 шт.
147,11 ₽ от 2500 шт.
Quest
На складе 40 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
298,81 ₽ от 1 шт.
224,11 ₽ от 3 шт.
186,76 ₽ от 14 шт.
Component Electronics
На складе 33 шт.
Обновлено 21:59 24.02.2021
265,22 ₽ от 1 шт.
Avnet
На складе 147 шт.
MOQ 338 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
Цена по запросу.
NAC Semi
На складе 500 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
Цена по запросу.
Arrow.cn
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
269,47 ₽ от 1 шт.
231,04 ₽ от 10 шт.
175,49 ₽ от 100 шт.
152,01 ₽ от 500 шт.
125,70 ₽ от 1000 шт.
114,86 ₽ от 2500 шт.
Epart123
На складе 1000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 11:14 04.03.2021
131,76 ₽ от 1000 шт.
131,76 ₽ от 10000 шт.
Win Source Electronics
На складе 9539 шт.
MOQ 35 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
198,63 ₽ от 35 шт.
163,94 ₽ от 80 шт.
158,85 ₽ от 120 шт.
153,90 ₽ от 170 шт.
148,94 ₽ от 215 шт.
134,07 ₽ от 285 шт.
LCSC
На складе 1697 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:27 02.03.2021
254,61 ₽ от 1 шт.
192,76 ₽ от 10 шт.
181,40 ₽ от 30 шт.
170,06 ₽ от 100 шт.
164,96 ₽ от 500 шт.
162,63 ₽ от 1000 шт.
element14 APAC
На складе 542 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
389,39 ₽ от 1 шт.
331,17 ₽ от 10 шт.
258,64 ₽ от 100 шт.
218,56 ₽ от 500 шт.
183,24 ₽ от 1000 шт.
182,29 ₽ от 2000 шт.
176,56 ₽ от 10000 шт.

Технические характеристики Infineon IRF3808PBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
75.0 V
Текущий рейтинг:
140 A
Continuous Drain Current (Ids):
140 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRF3808
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
330 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
140 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
75.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
75.0 V
  • МОП-транзистор, мощность
  • N-Ch
  • VDSS 75V
  • RDS(ON) 5.9Milliohms
  • ID 140A
  • TO-220AB
  • PD 330 Вт
  • -55de
  • Single N-Channel 75 V 7 mOhm 220 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
  • 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
  • Trans MOSFET N Channel 80 Volt 140A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB
  • Преимущества: соответствие требованиям RoHS
  • Лучшее в отрасли качество
  • Динамический рейтинг dv / dt
  • Быстрое переключение
  • Полностью оценен от лавин
  • 175C рабочая температура
  • MOSFET, N, 75V, 140A, TO-220
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:140A
  • Drain Source Voltage Vds:75V
  • On Resistance Rds(on):7mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:140A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45°C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:7ohm
  • Package / Case:TO-220AB
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:550A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:75V
  • Максимальное напряжение Vgs: 4 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по Infineon IRF3808PBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 23.07.2010)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)

Товары похожие на Infineon IRF3808PBF, сравнение характеристик.

Infineon IRF2807PBF
Цена от 50,45 ₽ до 1 244,73 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 82.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 82.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF2807.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 230 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 13.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 64.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
Infineon IRFR2407TRPBF
Цена от 51,86 ₽ до 1 802,33 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Текущий рейтинг 42.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 42.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tube.
Part Family IRFR2407.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 110 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 90.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
Infineon IRF1407PBF
Цена от 66,46 ₽ до 284,22 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Текущий рейтинг 130 A.
Continuous Drain Current (Ids) 130 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF1407.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 330 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 150 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
ON Semiconductor FDD16AN08A0
Цена от 60,73 ₽ до 1 016,53 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Текущий рейтинг 50.0 A.
Gate Charge 31.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 50.0 A.
Входная емкость 1.87 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 175 °C (max).
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 135 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 16.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 54.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
ON Semiconductor FDP75N08A
Цена от 82,59 ₽ до 293,89 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Gate Charge 104 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 75.0 A.
Входная емкость 4.47 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 137 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 11.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
STMicroelectronics STP75NF75
Цена от 36,98 ₽ до 1 348,46 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 9.50 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 25.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
STMicroelectronics STP140NF75
Цена от 49,76 ₽ до 2 026,15 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 120 A.
Continuous Drain Current (Ids) 120 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 310 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 7.50 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
ON Semiconductor FDB045AN08A0
Цена от 79,93 ₽ до 630,95 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-263.
Текущий рейтинг 19.0 A.
Gate Charge 92.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Входная емкость 6.60 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 310 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 3.90 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 88.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
STMicroelectronics STB140NF75T4
Цена от 89,09 ₽ до 1 625,07 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Текущий рейтинг 120 A.
Continuous Drain Current (Ids) 120 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 310 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 7.50 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.
ON Semiconductor FDP060AN08A0
Цена от 144,24 ₽ до 1 604,32 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 75.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 80.0 A.
Gate Charge 73.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 A.
Входная емкость 5.15 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 255 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 6.00 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 79.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 75.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 75.0 V.