Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP660-E/ST на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 70 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 307 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:44 12.02.2021
Упаковка Tube На складе 30 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:10 12.02.2021
Упаковка Tube На складе 5298 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 12:34 12.02.2021
Упаковка Tube На складе 74 шт.
Обновлено 16:15 11.02.2021
Цена по запросу.
На складе 35 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:33 12.02.2021
Упаковка Bulk На складе 649 шт.
Обновлено 03:33 08.02.2021
Цена по запросу.
На складе 190 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.
На складе 86 шт.
Обновлено 17:26 01.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Microchip MCP660-E/ST, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
60.0 MHz
Тип корпуса / Кейс:
TSSOP
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
66.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
60.0 MHz
Input Offset Drift:
2.00 µV/K
Input Offset Voltage:
8.00 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40.0 °C (min)
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
14
Power Supply Rejection Ratio:
61.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
32.0 V/μs
Supply Voltage (DC):
5.50 V (max), 2.50 V (min)
- Microchip MCP660-E/ST
- Triple Op Amp
- 60 МГц Rail-Rail
- 2.5 to 5.5V
- 14-контактный TSSOP
- MCP660 Series 60 MHz 6 mA Surface Mount Operational Amplifier - TSSOP-14
- Op Amp Triple GP R-R O/P 5.5V 14-Pin TSSOP Tube
- OP AMP, TRIPLE, 60MHZ, 14TSSOP
- Тип операционного усилителя: высокое усиление
- No. of Amplifiers:3
- Полоса пропускания: 60 МГц
- Slew Rate:32V/µs
- Диапазон напряжения питания: от 2,5 В до 5,5 В
- Amplifier Case Style:TSSOP
- Количество контактов: 14
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C
- SVHC: Нет SVHC (18 июня 2012 г.)
Документы по Microchip MCP660-E/ST, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP660-E/ST, сравнение характеристик.
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DFN.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 10.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DFN.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс QFN.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 16.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс MSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 10.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).