Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP663-E/SN на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 397 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:36 29.01.2021
Упаковка Tube На складе 500 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 12:35 25.01.2021
Упаковка Tube На складе 21 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:04 30.01.2021
Упаковка Tube На складе 150 шт.
Обновлено 01:59 18.01.2021
Цена по запросу.
На складе 77 шт.
Обновлено 00:08 30.01.2021
Цена по запросу.
На складе 220 шт.
Обновлено 21:08 26.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Microchip MCP663-E/SN, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
60.0 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
66.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
60.0 MHz
Input Offset Drift:
2.00 µV/K
Input Offset Voltage:
8.00 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 125 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
8
Power Supply Rejection Ratio:
61.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
32.0 V/μs
Supply Voltage (DC):
5.50 V (max), 2.50 V (min)
- MCP663 Series 5.5 V 60 MHz Rail-to-Rail I/O Operational Amplifier - SOIC-8
- Операционный усилитель
- Один
- 60MHz OP w /CS
- E Temp
- 8 SOIC .150in Tube
- Операционный усилитель Single GP R-R O / P 5.5V Автомобильная 8-контактная лампа SOIC N
- IC, OP AMP, R-R, 60MHZ, 8SOIC
- Тип операционного усилителя: высокое усиление
- Кол-во усилителей: 1
- Полоса пропускания: 60 МГц
- Slew Rate:32V/µs
- Диапазон напряжения питания: от 2,5 В до 5,5 В
- Стиль корпуса усилителя: SOIC
- Количество контактов: 8
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
Документы по Microchip MCP663-E/SN, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP663-E/SN, сравнение характеристик.
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DFN.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 10.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DFN.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс QFN.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 16.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс MSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 10.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.