Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP669-E/ML на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 6 шт.
MOQ 4 шт.
Обновлено 17:50 27.02.2021
На складе 364 шт.
MOQ 91 шт.
Обновлено 12:21 27.02.2021
Упаковка Bulk На складе 1338 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 19:35 24.02.2021
Упаковка Tube На складе 988 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:56 26.02.2021
Упаковка Tube На складе 991 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:19 27.02.2021
Упаковка Tube На складе 364 шт.
MOQ 91 шт.
Обновлено 09:54 27.02.2021
На складе 6 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:06 27.02.2021
На складе 364 шт.
MOQ 91 шт.
Обновлено 17:50 27.02.2021
На складе 92 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.
На складе 450 шт.
Обновлено 17:24 27.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Microchip MCP669-E/ML, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
60.0 MHz
Тип корпуса / Кейс:
QFN
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
66.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
60.0 MHz
Input Offset Drift:
2.00 µV/K
Input Offset Voltage:
8.00 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40.0 °C (min)
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
16
Power Supply Rejection Ratio:
61.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
32.0 V/μs
Supply Voltage (DC):
5.50 V (max), 2.50 V (min)
- MCP669 Series 5.5 V 60 MHz Rail-to-Rail I/O Operational Amplifier - MSOP-10
- Op Amp Quad High Speed Amplifier R-R O/P 5.5V Automotive 16-Pin QFN EP Tube
- Microchip MCP669-E/ML
- Четырехъядерный операционный усилитель
- 60 МГц Rail-Rail
- От 2,5 до 5,5 В
- 16-Pin QFN
- OP AMP, QUAD, 60MHZ, 16QFN
- Тип операционного усилителя: высокое усиление
- Количество усилителей: 4
- Полоса пропускания: 60 МГц
- Slew Rate:32V/µs
- Диапазон напряжения питания: от 2,5 В до 5,5 В
- Amplifier Case Style:QFN
- Количество контактов: 16
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C
- SVHC: Нет SVHC (18 июня 2012 г.)
Документы по Microchip MCP669-E/ML, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP669-E/ML, сравнение характеристик.
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DFN.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 10.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DFN.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс MSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 10.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).