Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP665-E/MF на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 436 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:43 10.02.2021
Упаковка Tube На складе 95 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.
На складе 92 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.
На складе 150 шт.
Обновлено 03:34 08.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Microchip MCP665-E/MF, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
60.0 MHz
Тип корпуса / Кейс:
DFN
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
66.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
60.0 MHz
Input Offset Drift:
2.00 µV/K
Input Offset Voltage:
8.00 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40.0 °C (min)
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
10
Power Supply Rejection Ratio:
61.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
32.0 V/μs
- Операционный усилитель ввода-вывода Rail-to-Rail, серия MCP665, 5,5 В, 60 МГц - DFN10
- Микрочип MCP665-E / MF
- Двойной операционный усилитель
- 60 МГц Rail-Rail
- От 2,5 до 5,5 В
- 10-контактный DFN
- IC, OP AMP, R-R, 60 МГц, ДВОЙНОЙ, 10DFN
- Тип операционного усилителя: Rail to Rail
- Кол-во усилителей: 2
- Полоса пропускания: 60 МГц
- Скорость нарастания: 32 В мкс
- Диапазон напряжения питания: от 2,5 В до 5,5 В
- Стиль корпуса усилителя: DFN
- Количество контактов: 10
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Номер в базе: 665
Документы по Microchip MCP665-E/MF, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP665-E/MF, сравнение характеристик.
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DFN.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс QFN.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 16.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс MSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 10.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Пропускная способность 60.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 66.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 60.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Input Offset Voltage 8.00 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 61.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 32.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.50 V (min).