Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  JFET-транзисторы

NTE Electronics
NTE6402

Transistor Silicon Programmable Unijunction TO-92 Case

Цена от 205,54 ₽ до 816,86 ₽
Datasheet

Наличие NTE Electronics NTE6402 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 5
В наличии до 874 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 205,54 ₽ до 448,22 ₽
США
На складе 874 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 12:21 27.02.2021
Упаковка Bulk
308,32 ₽ от 20 шт.
257,48 ₽ от 50 шт.
237,59 ₽ от 100 шт.
219,91 ₽ от 200 шт.
205,54 ₽ от 500 шт.
США
На складе 874 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 09:55 03.03.2021
320,65 ₽ от 20 шт.
267,78 ₽ от 50 шт.
247,09 ₽ от 100 шт.
228,71 ₽ от 200 шт.
213,77 ₽ от 500 шт.
США
На складе 754 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
358,04 ₽ от 20 шт.
290,63 ₽ от 50 шт.
США
На складе 4 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
448,22 ₽ от 1 шт.
298,81 ₽ от 4 шт.
США
На складе 125 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:08 04.03.2021
Упаковка Bulk
353,98 ₽ от 1 шт.
335,59 ₽ от 50 шт.
321,80 ₽ от 100 шт.
304,56 ₽ от 250 шт.
Азия 1
В наличии до 72 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 559,50 ₽ до 816,86 ₽
Япония
На складе 72 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:14 04.03.2021
816,86 ₽ от 1 шт.
712,54 ₽ от 10 шт.
559,50 ₽ от 50 шт.
Европа 1
В наличии до 26 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 270,28 ₽ до 378,62 ₽
Польша
На складе 26 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
378,62 ₽ от 1 шт.
340,99 ₽ от 3 шт.
301,07 ₽ от 10 шт.
270,28 ₽ от 25 шт.

Технические характеристики NTE Electronics NTE6402, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
TO-92
Текущий рейтинг:
1.00 A
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
100 °C (max)
Количество выводов:
3
Рассеяние мощности:
300 mW
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
40.0 V
  • Transistor Silicon Programmable Unijunction TO-92 Case
  • TRANSISTOR - PROGRAMMABLE UNIJUNCTION SILICON TO98/TO92
  • replacement Transistors TO-92 UNIJUNCT TRAN
  • TRANSISTOR, NTE6401, TO-92, PROG. UNIJUNCT, SI
  • NTE6402
  • T-PROG.UNIJUNCTION SI
  • PROGRAMMABLE UJT, 1A, TO-92
  • Repetitive
  • PROGRAMMABLE UJT, 1A, TO-92
  • Repetitive Peak Forward Current Itrm:1A
  • Peak Emitter Current:5µA
  • Valley Current Iv:50µA
  • No. of Pins:3 Pin
  • Максимальная рабочая температура: 100 ° C
  • Ассортимент продукции: -
  • MSL: MSL 1 - без ограничений
  • No. of Pins:3Pins

Документы по NTE Electronics NTE6402, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(2 страницы, 28.11.2000)

Товары похожие на NTE Electronics NTE6402, сравнение характеристик.

ON Semiconductor J113
Цена от 8,02 ₽ до 345,76 ₽
Напряжение пробоя -35.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 40.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 2.00 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Box.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 100 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
NTE Electronics NTE312
Цена от 119,35 ₽ до 481,71 ₽
Напряжение пробоя -30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -50.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 15.0 mA.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C (min).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 360 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
ON Semiconductor J111
Цена от 8,80 ₽ до 388,63 ₽
Напряжение пробоя -35.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 20.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 30.0 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor J109
Цена от 15,52 ₽ до 380,34 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 40.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 12.0 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor J112
Цена от 9,19 ₽ до 58,46 ₽
Напряжение пробоя -35.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 35.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 5.00 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk, Box.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 50.0 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor J111-D26Z
Цена от 8,40 ₽ до 370,65 ₽
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 20.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Рассеяние мощности 625 mW (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor J109-D26Z
Цена от 14,02 ₽ до 370,65 ₽
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Reel.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 12.0 Ω.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor J112-D26Z
Цена от 15,57 ₽ до 23,65 ₽
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 5.00 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 50.0 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor J107
Цена от 31,57 ₽ до 612,69 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 100 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 100 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 8.00 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor J105
Цена от 31,72 ₽ до 591,94 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 500 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 500 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 3.00 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.