Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  JFET-транзисторы

ON Semiconductor
2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E N-channel JFET Transistor; 30 V; Idss 0.6 to 1.5mA; 3-Pin SOT-23

Цена от 5,16 ₽ до 255,14 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor 2SK3666-2-TB-E на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 8
В наличии до 1305000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 5,16 ₽ до 52,01 ₽
США
На складе 162000 шт.
MOQ 9000 шт.
Обновлено 03:45 02.03.2021
5,78 ₽ от 9000 шт.
5,71 ₽ от 15000 шт.
5,61 ₽ от 24000 шт.
5,53 ₽ от 45000 шт.
5,45 ₽ от 90000 шт.
5,35 ₽ от 450000 шт.
5,28 ₽ от 900000 шт.
5,24 ₽ от 4500000 шт.
5,20 ₽ от 9000000 шт.
5,16 ₽ от 45000000 шт.
США
На складе 8282 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel
52,01 ₽ от 1 шт.
33,86 ₽ от 10 шт.
33,86 ₽ от 50 шт.
15,05 ₽ от 100 шт.
11,18 ₽ от 1000 шт.
6,42 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 162000 шт.
MOQ 9000 шт.
Обновлено 17:48 03.03.2021
6,42 ₽ от 9000 шт.
США
На складе 1305000 шт.
Обновлено 09:57 03.03.2021
7,06 ₽ от 1 шт.
6,92 ₽ от 25 шт.
6,78 ₽ от 100 шт.
6,64 ₽ от 500 шт.
6,49 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 3783 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Cut Tape
52,01 ₽ от 1 шт.
36,41 ₽ от 10 шт.
33,86 ₽ от 25 шт.
18,38 ₽ от 100 шт.
14,99 ₽ от 500 шт.
11,12 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 272 шт.
MOQ 107 шт.
Обновлено 17:48 03.03.2021
11,69 ₽ от 107 шт.
11,56 ₽ от 250 шт.
США
На складе 272 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:55 03.03.2021
Упаковка Cut Tape
29,26 ₽ от 1 шт.
22,44 ₽ от 10 шт.
22,22 ₽ от 25 шт.
12,15 ₽ от 100 шт.
12,03 ₽ от 250 шт.
США
На складе 105 шт.
Обновлено 16:26 02.03.2021
Цена по запросу.
Европа 2
В наличии до 7900 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 10,85 ₽ до 255,14 ₽
Британия
На складе 7900 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
15,87 ₽ от 100 шт.
13,60 ₽ от 200 шт.
12,47 ₽ от 500 шт.
11,01 ₽ от 1000 шт.
10,85 ₽ от 2000 шт.
Британия
На складе 1252 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 14:59 03.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
255,14 ₽ от 5 шт.
152,53 ₽ от 10 шт.
76,26 ₽ от 100 шт.
55,46 ₽ от 500 шт.
Азия 1
В наличии до 1252 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 8,03 ₽ до 36,04 ₽
Сингапур
На складе 1252 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 14:45 03.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
36,04 ₽ от 5 шт.
16,73 ₽ от 100 шт.
13,10 ₽ от 1000 шт.
11,66 ₽ от 3000 шт.
10,04 ₽ от 9000 шт.
9,94 ₽ от 24000 шт.
8,12 ₽ от 45000 шт.
8,03 ₽ от 99000 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor 2SK3666-2-TB-E, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
TO-236, SOT-23-3, SC-59
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
3
Рассеяние мощности:
200 mW
RoHS:
Compliant
  • 2SK3666-2-TB-E N-channel JFET Transistor
  • 30 В
  • Idss 0.6 to 1.5mA
  • 3-контактный SOT-23
  • N-Channel JFET, 30V, 0.6 to 6.0mA, 6.5mS, CP
  • Junction FET 30V 10mA IDSS 0.6 to 10 mA N-Channel Single CP
  • Trans JFET N-CH 30V 10mA Si 3-Pin Case CP T/R
  • TRANSISTOR, JFET, N-CH, -0.95V, SOT-23
  • N-CHANNEL JUNCTION SILICON FET F

Документы по ON Semiconductor 2SK3666-2-TB-E, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(4 страницы, 04.04.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 17.08.2012)
Лист материалов
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)

Товары похожие на ON Semiconductor 2SK3666-2-TB-E, сравнение характеристик.

ON Semiconductor MMBFJ113
Цена от 4,48 ₽ до 350,81 ₽
Напряжение пробоя -35.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 35.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 2.00 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 2.00 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 350 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 100 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 35.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 35.0 V.
ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E
Цена от 6,15 ₽ до 332,79 ₽
Напряжение пробоя 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 mW.
RoHS Compliant.
ON Semiconductor MMBFJ201
Цена от 5,25 ₽ до 318,92 ₽
Напряжение пробоя -40.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 40.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 600 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 350 mW (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
ON Semiconductor MMBF4416
Цена от 7,02 ₽ до 41,23 ₽
Напряжение пробоя -30.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 15.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
ON Semiconductor MMBF4117
Цена от 5,80 ₽ до 58,65 ₽
Напряжение пробоя -40.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 40.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 50.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
ON Semiconductor MMBFJ108
Цена от 17,04 ₽ до 287,73 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 80.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 80.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 350 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 8.00 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor MMBF4393
Цена от 6,33 ₽ до 130,34 ₽
Напряжение пробоя -30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 30.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 50.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 100 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
ON Semiconductor MMBF5486
Цена от 6,64 ₽ до 61,60 ₽
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor MMBF5457
Цена от 16,11 ₽ до 27,87 ₽
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 10.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 625 mW (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor MMBF4391
Цена от 8,85 ₽ до 46,48 ₽
Напряжение пробоя -30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 50.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 350 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 30.0 Ω.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.