Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay
SI4490DY-T1-E3

SI4490DY-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor; 2.8 A; 200 V; 8-Pin SOIC

Цена от 84,87 ₽ до 310,90 ₽
Datasheet

Наличие Vishay SI4490DY-T1-E3 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 14
В наличии до 15854 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 84,87 ₽ до 224,06 ₽
Канада
На складе 7500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 01:53 05.03.2021
Упаковка Tape & Reel
116,55 ₽ от 2500 шт.
86,00 ₽ от 5000 шт.
84,87 ₽ от 7500 шт.
США
На складе 5000 шт.
Обновлено 07:19 04.03.2021
95,39 ₽ от 2500 шт.
91,94 ₽ от 5000 шт.
88,49 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 15854 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
104,25 ₽ от 2500 шт.
97,31 ₽ от 15854 шт.
США
На складе 2364 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Tape & Reel
99,41 ₽ от 2500 шт.
98,53 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
98,59 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 5000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
103,60 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 2364 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Cut Tape
221,01 ₽ от 1 шт.
183,11 ₽ от 10 шт.
177,17 ₽ от 25 шт.
145,76 ₽ от 100 шт.
123,33 ₽ от 500 шт.
104,64 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 2333 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel
191,18 ₽ от 1 шт.
162,45 ₽ от 10 шт.
162,45 ₽ от 50 шт.
127,08 ₽ от 100 шт.
119,35 ₽ от 1000 шт.
118,24 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 967 шт.
MOQ 11 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
156,37 ₽ от 11 шт.
154,80 ₽ от 25 шт.
121,41 ₽ от 100 шт.
120,19 ₽ от 250 шт.
119,31 ₽ от 500 шт.
США
На складе 967 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
Упаковка Cut Tape
179,13 ₽ от 1 шт.
162,62 ₽ от 10 шт.
160,99 ₽ от 25 шт.
126,27 ₽ от 100 шт.
125,00 ₽ от 250 шт.
124,09 ₽ от 500 шт.
Канада
На складе 9080 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:53 05.03.2021
Упаковка Cut Tape
224,06 ₽ от 1 шт.
170,87 ₽ от 50 шт.
162,95 ₽ от 100 шт.
152,77 ₽ от 250 шт.
145,98 ₽ от 500 шт.
США
На складе 2 шт.
Обновлено 16:42 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2513 шт.
Обновлено 21:58 04.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 100 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
Цена по запросу.
Азия 2
В наличии до 967 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 137,27 ₽ до 310,90 ₽
Китай
На складе 967 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
202,77 ₽ от 1 шт.
180,39 ₽ от 10 шт.
178,59 ₽ от 25 шт.
140,06 ₽ от 100 шт.
138,66 ₽ от 250 шт.
137,27 ₽ от 500 шт.
Китай
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:27 02.03.2021
310,90 ₽ от 1 шт.
302,34 ₽ от 10 шт.
296,78 ₽ от 30 шт.
291,22 ₽ от 100 шт.
291,22 ₽ от 500 шт.
Европа 1
В наличии до 350 шт.
MOQ от 100 шт.
Британия
На складе 350 шт.
Обновлено 01:05 01.03.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Vishay SI4490DY-T1-E3, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SO
Continuous Drain Current (Ids):
4.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
1.56 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
80.0 mΩ
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
200 V
  • SI4490DY-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor
  • 2.8 A
  • 200 V
  • 8-контактный SOIC
  • Single N-Channel 200 V 0.08 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
  • Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
  • N CHANNEL MOSFET, 200V, 4A, SOIC
  • Transi
  • N CHANNEL MOSFET, 200V, 4A, SOIC
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 4A
  • Напряжение источника стока Vds: 200 В
  • On Resistance Rds(on):800mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 2 В

Документы по Vishay SI4490DY-T1-E3, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(5 страниц, 25.09.2009)
Заявление Rohs
(5 страниц, 12.01.2012)

Товары похожие на Vishay SI4490DY-T1-E3, сравнение характеристик.

ON Semiconductor NTHD4508NT1G
Цена от 15,22 ₽ до 485,45 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Текущий рейтинг 3.10 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.10 mA, 4.10 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 1.13 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
ON Semiconductor NTHC5513T1G
Цена от 21,77 ₽ до 71,83 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Текущий рейтинг 3.10 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.90 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 1.10 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ, 200 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
ON Semiconductor NDS9952A
Цена от 21,35 ₽ до 698,43 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) -30.0 V to 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SO, SOIC.
Текущий рейтинг 2.90 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
STMicroelectronics STS4DPF20L
Цена от 64,19 ₽ до 245,72 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -16.0 V to 16.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -4.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tape.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, Dual P-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
STMicroelectronics STS4DPF30L
Цена от 23,26 ₽ до 59,48 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -16.0 V to 16.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -4.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, Dual P-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 35.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
STMicroelectronics STS5PF30L
Цена от 38,76 ₽ до 243,65 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -16.0 V to 16.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 5.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 35.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
ON Semiconductor FDS8333C
Цена от 27,96 ₽ до 86,20 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) -30.0 V to 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.40 A.
Gate Charge 4.10 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 4.10 A.
Входная емкость 185 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tape.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
ON Semiconductor MMDF3N04HDR2G
Цена от до
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 3.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
Время нарастания 30.0 ns (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Diodes Inc. ZXMD65P02N8TC
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -4.40 A.
Gate Charge 20.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 5.10 A.
Входная емкость 950 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tape, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
Время нарастания 29.9 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.