Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Infineon
IRG4PH50UPBF

Transistor; IGBT; TO-247AC; 45 A (Max.); 1200 V (Min.); 200 W (Max.); -55 degC

Цена от 364,64 ₽ до 854,21 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRG4PH50UPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 9
В наличии до 14934 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 364,64 ₽ до 674,53 ₽
США
На складе 9934 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
396,34 ₽ от 1 шт.
388,42 ₽ от 25 шт.
380,49 ₽ от 100 шт.
372,56 ₽ от 500 шт.
364,64 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 18 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
636,56 ₽ от 2 шт.
556,71 ₽ от 10 шт.
469,38 ₽ от 100 шт.
430,96 ₽ от 250 шт.
417,90 ₽ от 500 шт.
384,06 ₽ от 1000 шт.
373,67 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 290 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
674,53 ₽ от 1 шт.
580,72 ₽ от 10 шт.
580,72 ₽ от 50 шт.
481,33 ₽ от 100 шт.
387,52 ₽ от 1000 шт.
387,52 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 18 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
662,03 ₽ от 1 шт.
578,98 ₽ от 10 шт.
488,16 ₽ от 100 шт.
448,20 ₽ от 250 шт.
434,61 ₽ от 500 шт.
399,42 ₽ от 1000 шт.
388,62 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 14934 шт.
MOQ 99 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
428,57 ₽ от 99 шт.
418,09 ₽ от 110 шт.
412,20 ₽ от 200 шт.
400,42 ₽ от 500 шт.
391,59 ₽ от 990 шт.
США
На складе 13 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tray
674,53 ₽ от 1 шт.
578,04 ₽ от 10 шт.
США
На складе 3971 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
Цена по запросу.
Канада
На складе 901 шт.
Обновлено 16:58 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 12 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Европа 5
В наличии до 2400 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 414,58 ₽ до 854,21 ₽
Германия
На складе 475 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 08:11 05.03.2021
654,45 ₽ от 5 шт.
518,57 ₽ от 25 шт.
452,01 ₽ от 100 шт.
414,58 ₽ от 200 шт.
Германия
На складе 1000 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 06:01 06.03.2021
483,90 ₽ от 25 шт.
453,40 ₽ от 75 шт.
446,47 ₽ от 125 шт.
439,53 ₽ от 225 шт.
Европейский союз
На складе 2400 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 07:22 05.03.2021
541,25 ₽ от 25 шт.
519,60 ₽ от 50 шт.
508,77 ₽ от 100 шт.
500,66 ₽ от 150 шт.
481,71 ₽ от 200 шт.
473,59 ₽ от 250 шт.
449,24 ₽ от 2500 шт.
Британия
На складе 217 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
707,01 ₽ от 25 шт.
610,75 ₽ от 100 шт.
577,91 ₽ от 250 шт.
530,82 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 144 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
854,21 ₽ от 1 шт.
707,01 ₽ от 25 шт.
610,75 ₽ от 100 шт.
577,91 ₽ от 250 шт.
530,82 ₽ от 500 шт.
Азия 3
В наличии до 250 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 416,46 ₽ до 709,46 ₽
Китай
На складе 18 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
709,46 ₽ от 1 шт.
620,47 ₽ от 10 шт.
523,13 ₽ от 100 шт.
480,31 ₽ от 250 шт.
465,75 ₽ от 500 шт.
428,04 ₽ от 1000 шт.
416,46 ₽ от 2500 шт.
Китай
На складе 36 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
623,24 ₽ от 1 шт.
538,86 ₽ от 10 шт.
523,44 ₽ от 30 шт.
508,02 ₽ от 100 шт.
501,22 ₽ от 500 шт.
492,60 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 250 шт.
Обновлено 21:33 21.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRG4PH50UPBF, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
45.0 A
Входная емкость:
3.60 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Part Family:
IRG4PH50U
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
200 W (max)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
15.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
1.20 kV
  • Транзистор
  • IGBT
  • TO-247AC
  • 45 A (Max.)
  • 1200 V (Min.)
  • 200 W (Max.)
  • -55 degC
  • Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 200000mW 3-Pin (3 + Tab) TO-247AC Tube
  • IRG4PH50U Series N-Channel 1.2 kV 45 A Ultrafast Speed IGBT - TO-247AC
  • 1200V UltraFast 5-40 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
  • IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 2.78 V Current release time: 280 ns Power dissipation: 200 W
  • SINGLE IGBT, 1.2KV, 45A
  • Transistor Type
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:45A
  • Collector Emitter Voltage Vces:3.7V
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ
  • Transistor Case Style:TO-247AC
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:45A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Fall Time Max:500ns
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-247AC
  • Power Dissipation Max:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulsed Current Icm:180A
  • Rise Time:15ns
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:1.2kV

Документы по Infineon IRG4PH50UPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 18.08.2007)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)

Товары похожие на Infineon IRG4PH50UPBF, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTG11N120CND
Цена от 163,89 ₽ до 2 322,45 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 43.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 298 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
ON Semiconductor HGTG18N120BND
Цена от 240,35 ₽ до 2 821,61 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 390 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 22.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
ON Semiconductor HGTG27N120BN
Цена от 291,77 ₽ до 844,32 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 72.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 500 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
STMicroelectronics STGW30NC120HD
Цена от 169,75 ₽ до 2 447,24 ₽
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 30.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 220 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
ON Semiconductor HGTG5N120BND
Цена от 192,52 ₽ до 366,02 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 21.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.