Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG11N120CND

43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

Цена от 163,89 ₽ до 2 322,45 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG11N120CND на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Farnell
На складе 807 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
2 322,45 ₽ от 1 шт.
1 753,97 ₽ от 10 шт.
1 317,21 ₽ от 100 шт.
1 247,89 ₽ от 500 шт.
1 067,63 ₽ от 1000 шт.
ComS.I.T. Europe - USA - Asia
На складе 200 шт.
Обновлено 15:30 05.03.2021
Цена по запросу.
Arrow Electronics
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
305,08 ₽ от 1 шт.
267,31 ₽ от 10 шт.
256,02 ₽ от 25 шт.
253,42 ₽ от 50 шт.
203,07 ₽ от 100 шт.
200,95 ₽ от 250 шт.
163,89 ₽ от 500 шт.
Mouser
На складе 228 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
374,12 ₽ от 1 шт.
297,06 ₽ от 10 шт.
297,06 ₽ от 50 шт.
254,63 ₽ от 100 шт.
193,20 ₽ от 1000 шт.
175,33 ₽ от 10000 шт.
Digi-Key
На складе 36 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube
396,46 ₽ от 1 шт.
332,80 ₽ от 10 шт.
314,13 ₽ от 25 шт.
269,24 ₽ от 100 шт.
239,33 ₽ от 500 шт.
204,93 ₽ от 1000 шт.
197,56 ₽ от 2500 шт.
Rochester Electronics
На складе 2642 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
230,27 ₽ от 1 шт.
225,66 ₽ от 25 шт.
221,06 ₽ от 100 шт.
216,45 ₽ от 500 шт.
211,85 ₽ от 1000 шт.
Newark
На складе 460 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
267,13 ₽ от 1 шт.
245,07 ₽ от 10 шт.
245,07 ₽ от 25 шт.
245,07 ₽ от 50 шт.
226,48 ₽ от 100 шт.
226,48 ₽ от 250 шт.
Avnet
На складе 460 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
404,18 ₽ от 1 шт.
346,11 ₽ от 10 шт.
324,04 ₽ от 25 шт.
301,98 ₽ от 50 шт.
279,91 ₽ от 100 шт.
264,81 ₽ от 250 шт.
Avnet
На складе 300 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
312,56 ₽ от 30 шт.
311,96 ₽ от 40 шт.
311,33 ₽ от 70 шт.
310,67 ₽ от 150 шт.
309,97 ₽ от 300 шт.
309,24 ₽ от 1500 шт.
308,47 ₽ от 3000 шт.
Verical
На складе 460 шт.
MOQ 22 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
313,25 ₽ от 22 шт.
Touchstone Systems
На складе 24750 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
One Stop Electro
На складе 139 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Andel Nordic
На складе 387 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.
Aionx
На складе 30000 шт.
Обновлено 19:22 22.02.2021
Цена по запросу.
Chip 1 Exchange
На складе 1770 шт.
Обновлено 11:34 04.03.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 23 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
element14 APAC
На складе 807 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
487,50 ₽ от 1 шт.
414,71 ₽ от 10 шт.
331,39 ₽ от 100 шт.
313,19 ₽ от 250 шт.
294,99 ₽ от 500 шт.
252,85 ₽ от 1000 шт.
243,27 ₽ от 2500 шт.
226,03 ₽ от 5000 шт.
LCSC
На складе 404 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
365,14 ₽ от 1 шт.
276,00 ₽ от 10 шт.
259,68 ₽ от 30 шт.
243,13 ₽ от 100 шт.
235,87 ₽ от 500 шт.
232,24 ₽ от 1000 шт.
Win Source Electronics
На складе 4950 шт.
MOQ 17 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
394,28 ₽ от 17 шт.
325,31 ₽ от 40 шт.
315,42 ₽ от 65 шт.
305,66 ₽ от 85 шт.
295,77 ₽ от 110 шт.
266,23 ₽ от 145 шт.
LCSC
На складе 295 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
393,94 ₽ от 1 шт.
339,52 ₽ от 10 шт.
329,53 ₽ от 30 шт.
319,56 ₽ от 100 шт.
315,02 ₽ от 500 шт.
309,57 ₽ от 1000 шт.
GreenChips
На складе 61 шт.
Обновлено 13:21 04.03.2021
Цена по запросу.
GreenTree Electronics
На складе 107550 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG11N120CND, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
1.20 kV
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
43.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
298 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
1.20 kV
  • 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
  • HGTG11N120CND Series 1200 V 43 A Flange Mount NPT N-Channel IGBT-TO-247
  • IGBT, N
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:43A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.4V
  • Power Dissipation Pd:298W
  • Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (18 июня 2012 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:43A
  • Package / Case:TO-247
  • Power Dissipation Max:298W
  • Power Dissipation Pd:298W
  • Тип завершения: SMD
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:1.2kV
  • HGTG11N120CND is based on Non- Punch Through(NPT) IGBT designs. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS, solar inverter, motor control and power supplies.

Документы по ON Semiconductor HGTG11N120CND, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(10 страниц, 11.12.2020)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTG11N120CND, сравнение характеристик.

ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU
Цена от 188,96 ₽ до 2 350,18 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Текущий рейтинг 50.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 312 W (max).
Время нарастания 60.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
STMicroelectronics STGF3NC120HD
Цена от 29,97 ₽ до 1 074,57 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Текущий рейтинг 3.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 3.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
ON Semiconductor HGTG18N120BND
Цена от 240,35 ₽ до 2 821,61 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 390 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 22.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
ON Semiconductor HGTG27N120BN
Цена от 291,77 ₽ до 844,32 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 72.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 500 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
ON Semiconductor HGTG5N120BND
Цена от 192,52 ₽ до 366,02 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 21.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
Infineon IRG4PH40UD-EPBF
Цена от 330,82 ₽ до 681,24 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Текущий рейтинг 41.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRG4PH40UD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 160 W.
Время нарастания 26.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.