Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Цена от 192,52 ₽ до 366,02 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG5N120BND на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Rochester Electronics
На складе 350 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
212,01 ₽ от 1 шт.
207,77 ₽ от 25 шт.
203,53 ₽ от 100 шт.
199,29 ₽ от 500 шт.
195,05 ₽ от 1000 шт.
Verical
На складе 420 шт.
MOQ 7 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
283,29 ₽ от 7 шт.
254,29 ₽ от 10 шт.
235,32 ₽ от 25 шт.
221,43 ₽ от 100 шт.
Arrow Electronics
На складе 420 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
294,63 ₽ от 1 шт.
264,46 ₽ от 10 шт.
244,73 ₽ от 25 шт.
230,29 ₽ от 100 шт.
Touchstone Systems
На складе 29730 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
One Stop Electro
На складе 531 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 46 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Win Source Electronics
На складе 11980 шт.
MOQ 23 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
285,11 ₽ от 23 шт.
235,28 ₽ от 55 шт.
228,09 ₽ от 85 шт.
221,03 ₽ от 120 шт.
213,84 ₽ от 155 шт.
192,52 ₽ от 205 шт.
LCSC
На складе 380 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
239,95 ₽ от 1 шт.
232,92 ₽ от 10 шт.
232,92 ₽ от 30 шт.
232,92 ₽ от 100 шт.
232,92 ₽ от 500 шт.
232,92 ₽ от 1000 шт.
Arrow.cn
На складе 420 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
325,50 ₽ от 1 шт.
292,18 ₽ от 10 шт.
270,38 ₽ от 25 шт.
254,42 ₽ от 100 шт.
Star River Electronics
На складе 4630 шт.
Обновлено 11:28 26.02.2021
366,02 ₽ от 1 шт.
GreenTree Electronics
На складе 29730 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG5N120BND, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
1.20 kV
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
21.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
167 W (max)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
1.20 kV
  • Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • 21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
  • HGTG5N120BND is based on Non- Punch Through(NPT) IGBT designs. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: UPS, solar inverter, motor control and power supplies.

Документы по ON Semiconductor HGTG5N120BND, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTG5N120BND, сравнение характеристик.

ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU
Цена от 188,96 ₽ до 2 350,18 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Текущий рейтинг 50.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 312 W (max).
Время нарастания 60.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
ON Semiconductor HGTG11N120CND
Цена от 163,89 ₽ до 2 322,45 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 43.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 298 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
STMicroelectronics STGF3NC120HD
Цена от 29,97 ₽ до 1 074,57 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Текущий рейтинг 3.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 3.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
ON Semiconductor HGTG18N120BND
Цена от 240,35 ₽ до 2 821,61 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 390 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 22.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
ON Semiconductor HGTG27N120BN
Цена от 291,77 ₽ до 844,32 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 72.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 500 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
Infineon IRG4PH40UD-EPBF
Цена от 330,82 ₽ до 681,24 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Текущий рейтинг 41.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRG4PH40UD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 160 W.
Время нарастания 26.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.