Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG27N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Цена от 291,77 ₽ до 844,32 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG27N120BN на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Avnet
На складе 6 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
335,23 ₽ от 30 шт.
326,54 ₽ от 40 шт.
317,85 ₽ от 70 шт.
309,16 ₽ от 150 шт.
300,46 ₽ от 300 шт.
295,50 ₽ от 1500 шт.
291,77 ₽ от 3000 шт.
Verical
На складе 1800 шт.
MOQ 450 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
444,82 ₽ от 450 шт.
395,40 ₽ от 500 шт.
338,56 ₽ от 1000 шт.
Digi-Key
На складе 325 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube
771,69 ₽ от 1 шт.
647,62 ₽ от 10 шт.
611,24 ₽ от 25 шт.
523,90 ₽ от 100 шт.
465,69 ₽ от 500 шт.
398,75 ₽ от 1000 шт.
384,42 ₽ от 2500 шт.
Rochester Electronics
На складе 35 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
511,13 ₽ от 1 шт.
500,91 ₽ от 25 шт.
490,69 ₽ от 100 шт.
480,46 ₽ от 500 шт.
470,24 ₽ от 1000 шт.
Verical
На складе 425 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
735,06 ₽ от 3 шт.
619,92 ₽ от 10 шт.
582,07 ₽ от 25 шт.
538,29 ₽ от 50 шт.
533,04 ₽ от 60 шт.
527,68 ₽ от 90 шт.
486,25 ₽ от 100 шт.
481,22 ₽ от 150 шт.
476,19 ₽ от 250 шт.
471,17 ₽ от 300 шт.
Newark
На складе 6 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
514,52 ₽ от 30 шт.
512,20 ₽ от 60 шт.
506,39 ₽ от 90 шт.
500,58 ₽ от 150 шт.
488,97 ₽ от 300 шт.
Arrow Electronics
На складе 425 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
764,47 ₽ от 1 шт.
644,72 ₽ от 10 шт.
605,35 ₽ от 25 шт.
559,82 ₽ от 50 шт.
554,36 ₽ от 60 шт.
548,79 ₽ от 90 шт.
505,70 ₽ от 100 шт.
500,47 ₽ от 150 шт.
495,24 ₽ от 250 шт.
490,02 ₽ от 300 шт.
Avnet
На складе 887 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
783,98 ₽ от 1 шт.
662,03 ₽ от 10 шт.
626,02 ₽ от 25 шт.
583,05 ₽ от 50 шт.
541,24 ₽ от 100 шт.
Hamilton Americas
На складе 248 шт.
Обновлено 16:58 28.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 231 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Arrow.cn
На складе 425 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
844,32 ₽ от 1 шт.
712,28 ₽ от 10 шт.
668,78 ₽ от 25 шт.
618,48 ₽ от 50 шт.
612,45 ₽ от 60 шт.
606,29 ₽ от 90 шт.
558,69 ₽ от 100 шт.
552,91 ₽ от 150 шт.
547,14 ₽ от 250 шт.
541,37 ₽ от 300 шт.
Ampacity Systems
На складе 286 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.
Euler-Denison
На складе 70 шт.
Обновлено 17:24 27.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG27N120BN, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
1.20 kV
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
72.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
500 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
1.20 kV
  • Trans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • HGTG27N120BN 72 A 1200 V NPT Series N-Channel IGBT - TO-247-3
  • Transistor HGTG27N120 IGBT N-Channel 1.2kVolt 72Amp TO-247
  • HGTG27N120BN is based on Non- Punch Through(NPT) IGBT designs. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: UPS, solar inverter, motor control and power supplies.
  • IGBT, N 72A, 1200V TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:72A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.7V
  • Рассеиваемая мощность Pd: 500 Вт
  • Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:72A
  • Package / Case:TO-247
  • Power Dissipation Max:500W
  • Рассеиваемая мощность Pd: 500 Вт
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:1.2kV

Документы по ON Semiconductor HGTG27N120BN, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 25.10.2004)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Лист материалов
(3 страницы, 07.12.2013)
Заявление о достижении
(3 страницы, 09.08.2014)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTG27N120BN, сравнение характеристик.

ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU
Цена от 188,96 ₽ до 2 350,18 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Текущий рейтинг 50.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 312 W (max).
Время нарастания 60.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
ON Semiconductor HGTG11N120CND
Цена от 163,89 ₽ до 2 322,45 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 43.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 298 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
STMicroelectronics STGF3NC120HD
Цена от 29,97 ₽ до 1 074,57 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Текущий рейтинг 3.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 3.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
ON Semiconductor HGTG18N120BND
Цена от 240,35 ₽ до 2 821,61 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 390 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 22.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
ON Semiconductor HGTG5N120BND
Цена от 192,52 ₽ до 366,02 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 21.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.
Infineon IRG4PH40UD-EPBF
Цена от 330,82 ₽ до 681,24 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 1.20 kV.
Текущий рейтинг 41.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bulk.
Part Family IRG4PH40UD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 160 W.
Время нарастания 26.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 1.20 kV.