Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  JFET-транзисторы

ON Semiconductor
MMBF5484LT1

Jfet N-ch 25V 0.225W SOT23

Цена от 13,29 ₽ до 26,14 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor MMBF5484LT1 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Component Sense
На складе 1762 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:32 20.02.2021
26,14 ₽ от 110 шт.
22,46 ₽ от 500 шт.
14,97 ₽ от 1000 шт.
Ampacity Systems
На складе 186 шт.
Обновлено 00:56 16.02.2021
Цена по запросу.
Component Electronics
На складе 185 шт.
Обновлено 17:07 26.01.2021
13,29 ₽ от 1 шт.
Semi Source
На складе 2480 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 1357 шт.
Обновлено 00:25 19.02.2021
Цена по запросу.
Abacus Technologies
На складе 3588 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor MMBF5484LT1, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Gate to Source]:
25.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-236, SOT-23-3, SC-59
Текущий рейтинг:
10.0 mA
Входная емкость:
5.00 pF
Lead-Free Status:
Contains Lead
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
200 mW (max)
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
25.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
25.0 V
  • JFET N-CH 25V 0.225W SOT23
  • Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23
  • JFETs 25V 10mA No-Cancel/No-Return
  • Small Signal JFET

Документы по ON Semiconductor MMBF5484LT1, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(6 страниц, 14.02.2006)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)

Товары похожие на ON Semiconductor MMBF5484LT1, сравнение характеристик.

ON Semiconductor MMBFJ309LT1G
Цена от 6,88 ₽ до 336,89 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Halogen Free Status Halogen Free.
Continuous Drain Current (Ids) 10.0 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -25.0 V.
ON Semiconductor MMBFJ310LT3G
Цена от 11,29 ₽ до 374,64 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Halogen Free Status Halogen Free.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor MMBF5484LT1G
Цена от 10,60 ₽ до 12,09 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 5.00 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor BFR30LT1G
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 1.00 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor BFR30LT1
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 1.00 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor BFR31LT1
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 1.00 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 mW.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor MMBFJ310LT3
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor BFR31LT1G
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 1.00 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 mW.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.