Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  JFET-транзисторы

ON Semiconductor
MMBF5484LT1G

Jfet N-ch 25V 0.225W SOT23

Цена от 10,60 ₽ до 12,09 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor MMBF5484LT1G на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Avnet
На складе 70875 шт.
MOQ 3206 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
11,74 ₽ от 3206 шт.
11,50 ₽ от 3300 шт.
11,32 ₽ от 6500 шт.
11,14 ₽ от 17000 шт.
10,96 ₽ от 33000 шт.
10,78 ₽ от 170000 шт.
10,60 ₽ от 330000 шт.
Rochester Electronics
На складе 70875 шт.
Обновлено 10:03 21.02.2021
12,09 ₽ от 1 шт.
11,85 ₽ от 25 шт.
11,61 ₽ от 100 шт.
11,37 ₽ от 500 шт.
11,12 ₽ от 1000 шт.
Robosynatics
На складе 350 шт.
Обновлено 03:35 08.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor MMBF5484LT1G, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Gate to Source]:
25.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-236, SOT-23-3, SC-59
Текущий рейтинг:
5.00 mA
Входная емкость:
5.00 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
200 mW (max)
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
25.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
25.0 V
  • JFET N-CH 25V 0.225W SOT23
  • Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
  • TRANSISTOR, JFET, N, 25V, SOT-23
  • Transistor Type:JFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage, V(br)gss:25V
  • Current, Idss Min:1mA
  • Current, Idss Max:5mA
  • Voltage, Vgs Off Max:3V
  • Стиль корпуса: СОТ-23
  • Тип завершения: SMD
  • Max Capacitance Ciss:5pF
  • Power, Ptot:0.2W
  • SMD Marking:M6B
  • Voltage, Vds Max:25V
  • Voltage, Vgs Off Min:-0.3V

Документы по ON Semiconductor MMBF5484LT1G, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(6 страниц, 14.02.2006)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)

Товары похожие на ON Semiconductor MMBF5484LT1G, сравнение характеристик.

ON Semiconductor MMBFJ309LT1G
Цена от 6,88 ₽ до 336,89 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Halogen Free Status Halogen Free.
Continuous Drain Current (Ids) 10.0 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -25.0 V.
ON Semiconductor MMBFJ310LT3G
Цена от 11,29 ₽ до 374,64 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Halogen Free Status Halogen Free.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor BFR30LT1G
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 1.00 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor MMBF5484LT1
Цена от 13,29 ₽ до 26,14 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor BFR30LT1
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 1.00 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor BFR31LT1
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 1.00 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 mW.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor MMBFJ310LT3
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor BFR31LT1G
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 1.00 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 mW.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.