Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  JFET-транзисторы

ON Semiconductor
MMBFJ310LT3

N-Channel JFET Transistor
Datasheet

Технические характеристики ON Semiconductor MMBFJ310LT3, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Gate to Source]:
25.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23
Текущий рейтинг:
10.0 mA
Входная емкость:
5.00 pF
Lead-Free Status:
Contains Lead
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
225 mW (max)
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
25.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
25.0 V
  • N-Channel JFET Transistor
  • JFETs 25V 10mA No-Cancel/No-Return

Документы по ON Semiconductor MMBFJ310LT3, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(5 страниц, 13.02.2006)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)

Товары похожие на ON Semiconductor MMBFJ310LT3, сравнение характеристик.

ON Semiconductor MMBFJ309LT1G
Цена от 6,90 ₽ до 335,79 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Halogen Free Status Halogen Free.
Continuous Drain Current (Ids) 10.0 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -25.0 V.
ON Semiconductor MMBFJ310LT3G
Цена от 11,85 ₽ до 373,41 ₽
Напряжение пробоя -25.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-3.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Halogen Free Status Halogen Free.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 225 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor MMBF5484LT1G
Цена от 10,64 ₽ до 12,14 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 5.00 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor BFR30LT1G
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 1.00 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor MMBF5484LT1
Цена от 13,34 ₽ до 26,24 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 10.0 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor BFR30LT1
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Текущий рейтинг 1.00 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor BFR31LT1
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 1.00 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 mW.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
ON Semiconductor BFR31LT1G
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-236, SOT-23-3, SC-59.
Текущий рейтинг 1.00 mA.
Входная емкость 5.00 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 mW.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 25.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.