Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
NTR4170NT1G

NTR4170NT1G N-channel MOSFET Transistor; 3.9 A; 30 V; 3-Pin SOT-23

Цена от 10,29 ₽ до 280,07 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor NTR4170NT1G на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 11
В наличии до 63806 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 10,29 ₽ до 280,07 ₽
США
На складе 63806 шт.
MOQ 3458 шт.
Обновлено 02:49 27.02.2021
11,98 ₽ от 3458 шт.
11,81 ₽ от 3500 шт.
11,47 ₽ от 7000 шт.
11,22 ₽ от 18000 шт.
10,80 ₽ от 35000 шт.
10,55 ₽ от 180000 шт.
10,29 ₽ от 350000 шт.
США
На складе 21606 шт.
Обновлено 10:10 28.02.2021
11,37 ₽ от 1 шт.
11,13 ₽ от 25 шт.
10,91 ₽ от 100 шт.
10,68 ₽ от 500 шт.
10,46 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 13:29 27.02.2021
11,98 ₽ от 3000 шт.
11,19 ₽ от 6000 шт.
США
На складе 4 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:49 27.02.2021
50,65 ₽ от 1 шт.
38,74 ₽ от 10 шт.
18,55 ₽ от 100 шт.
16,57 ₽ от 500 шт.
США
На складе 12000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:04 27.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
50,65 ₽ от 1 шт.
38,74 ₽ от 10 шт.
18,55 ₽ от 100 шт.
16,57 ₽ от 500 шт.
США
На складе 17 шт.
Обновлено 11:23 27.02.2021
280,07 ₽ от 1 шт.
210,05 ₽ от 3 шт.
175,04 ₽ от 15 шт.
Канада
На складе 503 шт.
Обновлено 16:58 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 974 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 6250 шт.
Обновлено 11:19 27.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 8730 шт.
Обновлено 22:47 24.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 385 шт.
Обновлено 19:05 25.02.2021
Цена по запросу.
Азия 4
В наличии до 344549 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 12,52 ₽ до 23,77 ₽
Китай
На складе 344549 шт.
MOQ 350 шт.
Обновлено 12:30 26.02.2021
18,45 ₽ от 350 шт.
15,23 ₽ от 850 шт.
14,71 ₽ от 1320 шт.
14,32 ₽ от 1805 шт.
13,81 ₽ от 2340 шт.
12,52 ₽ от 3095 шт.
Япония
На складе 2 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 11:21 28.02.2021
Упаковка Cut Tape
13,17 ₽ от 25 шт.
Китай
На складе 5501 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:39 27.02.2021
23,77 ₽ от 1 шт.
19,03 ₽ от 10 шт.
18,16 ₽ от 30 шт.
17,29 ₽ от 100 шт.
16,90 ₽ от 500 шт.
16,70 ₽ от 1000 шт.
Малайзия
На складе 788 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor NTR4170NT1G, атрибуты и параметры.

Continuous Drain Current (Ids):
4.00 A, 2.30 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
  • NTR4170NT1G N-channel MOSFET Transistor
  • 3.9 A
  • 30 В
  • 3-контактный SOT-23
  • N-Channel 30 V 55 mOhm 0.78 W Surface Mount Power MOSFET - SOT-23
  • MOSFET N Trench 30V 1.4V @ 250uA 55 m¦¸ @ 3.2A,10V SOT-23-3 RoHS
  • Single N−Channel Power MOSFET 30V, 3.1A, 55mΩ

Документы по ON Semiconductor NTR4170NT1G, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(5 страниц, 01.06.2012)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)

Товары похожие на ON Semiconductor NTR4170NT1G, сравнение характеристик.

Vishay SI4490DY-T1-E3
Цена от 82,10 ₽ до 314,78 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SO.
Continuous Drain Current (Ids) 4.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.56 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 200 V.
Diodes Inc. ZXMN2F34FHTA
Цена от 8,26 ₽ до 325,32 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 4.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.40 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
ON Semiconductor NDT3055L
Цена от 26,61 ₽ до 560,12 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-223.
Текущий рейтинг 3.50 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Reel, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 4.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 3.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 100 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
rohm RTR040N03TL
Цена от 11,67 ₽ до 302,69 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 4.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 18.0 ns.
RoHS Compliant.
ON Semiconductor NTMD4N03R2G
Цена от 17,97 ₽ до 396,05 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.00 mA, 4.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 48.0 mΩ.
Время нарастания 14.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
ON Semiconductor NDT3055
Цена от 30,86 ₽ до 175,04 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-223.
Текущий рейтинг 3.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Reel, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 4.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 3.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 84.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
STMicroelectronics STN3NF06L
Цена от 14,62 ₽ до 493,64 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -16.0 V to 16.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-223.
Текущий рейтинг 4.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 4.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 3.30 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 100 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 25.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
Infineon SPD04N80C3ATMA1
Цена от 63,30 ₽ до 1 025,47 ₽
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Текущий рейтинг 4.00 A.
Gate Charge 26.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 4.00 A.
Входная емкость 570 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 63.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 800 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 800 V.
STMicroelectronics STS4DNF60L
Цена от 31,33 ₽ до 898,17 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -15.0 V to 15.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 55.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 28.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
STMicroelectronics PD55008-E
Цена от 1 133,73 ₽ до 8 903,95 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Текущий рейтинг 2.50 A.
Усиление 17.0 dB.
Continuous Drain Current (Ids) 4.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 165 °C (max).
Выходная мощность 8.00 W.
Упаковка Tray.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 52.8 W (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.