Vishay Siliconix
SI3456DV-T1
N-Channel MOSFET 30V 5.1A Rds=10~4.5V -55~150 °C TSOP6
Цена от 17,24 ₽ до 41,38 ₽
Наличие Vishay Siliconix SI3456DV-T1 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 3489 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 3489 шт.
Обновлено 07:20 22.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 2904 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 17,24 ₽ до 41,38 ₽
На складе 2904 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
На складе 200 шт.
Обновлено 22:06 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 2255 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 570 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Vishay Siliconix SI3456DV-T1, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
RoHS:
Non-Compliant
- N-Channel MOSFET 30V 5.1A Rds=10~4.5V -55~150 °C TSOP6
- N-CH MOSFET TSOP-6 30V 45MOHM @ 10V
- N-Channel MOSFETs 30V 5.1A 2W
- OBSOLETE - USE SI3456BDV-T1-E3
Документы по Vishay Siliconix SI3456DV-T1, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Vishay Siliconix SI3456DV-T1, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Текущий рейтинг -3.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.30 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 75.0 mΩ.
Время нарастания 20.0 ns.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 12.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -12.0 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Bulk.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Текущий рейтинг 2.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 2.70 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Bulk.
Рассеяние мощности 960 mW (max).
Время нарастания 1.20 ns.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Текущий рейтинг -2.20 A.
Continuous Drain Current (Ids) 2.20 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tape.
Part Family IRF5850.
Количество выводов 6.
Полярность Dual P-Channel.
Рассеяние мощности 960 mW (max).
Время нарастания 14.0 ns.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
RoHS Non-Compliant.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 960 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 135 mΩ.
RoHS Non-Compliant.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -12.0 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Continuous Drain Current (Ids) -4.50 A.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 40.0 mΩ.
RoHS Non-Compliant.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Continuous Drain Current (Ids) -1.80 A to 1.80 A.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.15 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 200 mΩ.
RoHS Non-Compliant.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -30.0 V to 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Continuous Drain Current (Ids) 51.0 A.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 1.15 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 105 mΩ.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Continuous Drain Current (Ids) 1.20 A.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Рассеяние мощности 400 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 215 mΩ.
RoHS Non-Compliant.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Continuous Drain Current (Ids) -2.45 A.
Mounting Style Surface Mount.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 90.0 mΩ.
RoHS Non-Compliant.