Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Infineon
IKW50N65F5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Цена от 219,04 ₽ до 3 071,18 ₽

Наличие Infineon IKW50N65F5FKSA1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 4
В наличии до 2205 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 277,31 ₽ до 3 071,18 ₽
Германия
На складе 19 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 08:11 05.03.2021
396,55 ₽ от 1 шт.
324,45 ₽ от 10 шт.
288,40 ₽ от 50 шт.
277,31 ₽ от 100 шт.
Британия
На складе 50 шт.
MOQ 4 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
551,32 ₽ от 40 шт.
523,93 ₽ от 80 шт.
479,40 ₽ от 200 шт.
Британия
На складе 50 шт.
MOQ 4 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
723,19 ₽ от 4 шт.
687,79 ₽ от 8 шт.
551,32 ₽ от 40 шт.
523,93 ₽ от 80 шт.
479,40 ₽ от 200 шт.
Британия
На складе 2205 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
3 071,18 ₽ от 1 шт.
2 343,25 ₽ от 10 шт.
1 767,84 ₽ от 100 шт.
1 663,85 ₽ от 500 шт.
1 532,13 ₽ от 1000 шт.
Америка 7
В наличии до 1543 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 219,04 ₽ до 593,76 ₽
США
На складе 20 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
238,07 ₽ от 1 шт.
233,31 ₽ от 25 шт.
228,56 ₽ от 100 шт.
223,79 ₽ от 500 шт.
219,04 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1543 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
450,06 ₽ от 1 шт.
383,06 ₽ от 10 шт.
383,06 ₽ от 50 шт.
312,70 ₽ от 100 шт.
282,55 ₽ от 1000 шт.
242,34 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 7 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube
495,85 ₽ от 1 шт.
416,22 ₽ от 10 шт.
392,84 ₽ от 25 шт.
336,72 ₽ от 100 шт.
299,31 ₽ от 500 шт.
256,29 ₽ от 1000 шт.
246,59 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 6 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
445,59 ₽ от 3 шт.
377,81 ₽ от 10 шт.
374,12 ₽ от 25 шт.
370,44 ₽ от 50 шт.
301,20 ₽ от 100 шт.
298,07 ₽ от 250 шт.
263,78 ₽ от 500 шт.
США
На складе 6 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
463,42 ₽ от 1 шт.
392,92 ₽ от 10 шт.
389,09 ₽ от 25 шт.
385,25 ₽ от 50 шт.
313,24 ₽ от 100 шт.
309,99 ₽ от 250 шт.
274,33 ₽ от 500 шт.
США
На складе 161 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
593,76 ₽ от 5 шт.
452,80 ₽ от 10 шт.
392,99 ₽ от 50 шт.
374,49 ₽ от 100 шт.
США
На складе 20 шт.
MOQ 165 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
Цена по запросу.
Азия 4
В наличии до 9350 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 303,08 ₽ до 576,58 ₽
Китай
На складе 6 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
511,98 ₽ от 1 шт.
434,09 ₽ от 10 шт.
429,86 ₽ от 25 шт.
425,62 ₽ от 50 шт.
346,07 ₽ от 100 шт.
342,48 ₽ от 250 шт.
303,08 ₽ от 500 шт.
Сингапур
На складе 2175 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
576,58 ₽ от 1 шт.
491,33 ₽ от 10 шт.
400,35 ₽ от 100 шт.
373,53 ₽ от 500 шт.
362,04 ₽ от 1000 шт.
310,32 ₽ от 2500 шт.
Япония
На складе 161 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:29 05.03.2021
Упаковка Tube
543,96 ₽ от 1 шт.
414,59 ₽ от 10 шт.
359,84 ₽ от 50 шт.
341,76 ₽ от 100 шт.
Китай
На складе 9350 шт.
MOQ 13 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
512,56 ₽ от 13 шт.
422,92 ₽ от 35 шт.
410,08 ₽ от 50 шт.
397,36 ₽ от 65 шт.
384,52 ₽ от 85 шт.
345,99 ₽ от 115 шт.

Технические характеристики Infineon IKW50N65F5FKSA1, атрибуты и параметры.

Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40.0 °C (min)
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
  • Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
  • IKW50N65F5 Series 650 V 80 A 305 W Through Hole DuoPack IGBT - PG-TO-247-3
  • 650V DuoPack IGBT и серия высокоскоростных диодов пятого поколения
  • High Speed 650 V, hard-switching IGBT TRENCHSTOPTM 5 co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT, PG-TO247-3, RoHS
  • Новая технология TRENCHSTOP5 IGBT от Infineons переопределяет лучший в своем классе IGBT, обеспечивая непревзойденную производительность с точки зрения эффективности для приложений с жестким переключением. Новое семейство - это крупный прорыв в области инноваций IGBT, отвечающий требованиям рынка завтрашнего дня. | Краткое описание характеристик: напряжение прорыва 650 В
  • По сравнению с лучшими в своем классе семейством HighSpeed ​​3 от Infineon
  • Factor 2.5 lower Q g
  • Factor 2 reduction in switching losses
  • 200mV reduction in V CE(sat)
  • Co-packed with Infineons new Rapid Si-diode technology
  • Low C OES/E OSS
  • Mild positive temperature coefficient V CE(sat)
  • Temperature stability of V f | Benefits: Best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability
  • 50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
  • Higher power density design | Target Applications: Uninterruptible Power Supplies
  • Welding

Документы по Infineon IKW50N65F5FKSA1, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Infineon IKW50N65F5FKSA1, сравнение характеристик.