Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Infineon
FS75R12KT4B15BOSA1

Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385000mW 28-Pin ECONO2-6 Tray

Цена от 9 034,44 ₽ до 25 530,38 ₽

Наличие Infineon FS75R12KT4B15BOSA1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 2
В наличии до 80 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 9 855,05 ₽ до 25 530,38 ₽
Европейский союз
На складе 2 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 07:24 16.02.2021
10 810,37 ₽ от 10 шт.
10 302,03 ₽ от 20 шт.
10 289,53 ₽ от 40 шт.
10 272,29 ₽ от 60 шт.
10 258,44 ₽ от 80 шт.
9 869,83 ₽ от 100 шт.
9 855,05 ₽ от 1000 шт.
Британия
На складе 80 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
25 530,38 ₽ от 1 шт.
Америка 8
В наличии до 32 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 9 034,44 ₽ до 18 459,49 ₽
США
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
9 521,03 ₽ от 1 шт.
9 197,31 ₽ от 20 шт.
9 034,44 ₽ от 40 шт.
США
На складе 8 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
10 218,82 ₽ от 1 шт.
10 014,45 ₽ от 25 шт.
9 810,07 ₽ от 100 шт.
9 605,70 ₽ от 500 шт.
9 401,33 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 13 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tray
11 314,49 ₽ от 1 шт.
10 327,84 ₽ от 10 шт.
9 849,96 ₽ от 50 шт.
9 849,96 ₽ от 100 шт.
9 849,96 ₽ от 1000 шт.
9 849,96 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 32 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Bulk
12 445,72 ₽ от 1 шт.
11 361,61 ₽ от 10 шт.
10 839,70 ₽ от 25 шт.
10 584,21 ₽ от 100 шт.
США
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
17 749,51 ₽ от 1 шт.
11 401,07 ₽ от 10 шт.
США
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
14 212,09 ₽ от 1 шт.
11 791,81 ₽ от 5 шт.
11 777,74 ₽ от 10 шт.
США
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
18 459,49 ₽ от 1 шт.
11 857,11 ₽ от 10 шт.
США
На складе 8 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Азия 3
В наличии до 367 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 10 864,84 ₽ до 20 867,27 ₽
Япония
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:24 16.02.2021
13 094,04 ₽ от 1 шт.
10 864,84 ₽ от 5 шт.
Китай
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
20 867,27 ₽ от 1 шт.
13 080,09 ₽ от 10 шт.
Малайзия
На складе 367 шт.
Обновлено 00:56 16.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon FS75R12KT4B15BOSA1, атрибуты и параметры.

Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Screw
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Полярность:
N-Channel
RoHS:
Compliant
  • Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385000mW 28-Pin ECONO2-6 Tray
  • Igbt, Module, N-Ch, 1.2Kv, 75A
  • Полярность транзистора: n канал
  • Dc Collector Current:75A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.85V
  • Power Dissipation Pd:385W
  • Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv
  • Transistor Case Rohs Compliant: Yes
  • EconoPACK 2 1200V sixpack IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC (alternative mechnically compatible to an IGBT3 module) | Summary of Features: Low V(CEsat)
  • T(vj op) = 150C
  • V(CEsat) with positive Temperature Coefficient
  • Al(2)O(3) Substrate with Low Thermal Resistance
  • High Power and Thermal Cycling Capability
  • Integrated NTC temperature sensor
  • Copper Base Plate
  • Standard Housing | Benefits: Compact module concept
  • Optimized customers development cycle time and cost
  • Configuration flexibility | Target Applications: drives
  • induction
  • aircon

Документы по Infineon FS75R12KT4B15BOSA1, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Infineon FS75R12KT4B15BOSA1, сравнение характеристик.