Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTP3N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Rail

Цена от 130,84 ₽ до 237,30 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTP3N60A4D на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Rochester Electronics
На складе 30601 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
142,21 ₽ от 1 шт.
139,36 ₽ от 25 шт.
136,52 ₽ от 100 шт.
133,68 ₽ от 500 шт.
130,84 ₽ от 1000 шт.
Freelance Electronics
На складе 540 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
237,30 ₽ от 1 шт.
188,76 ₽ от 114 шт.
177,98 ₽ от 227 шт.
165,39 ₽ от 341 шт.
147,42 ₽ от 454 шт.
Corohmni
На складе 95 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.
Andel Nordic
На складе 118 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
Kenton Components
На складе 380 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTP3N60A4D, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Текущий рейтинг:
17.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Упаковка:
Tube
Рассеяние мощности:
70.0 W (max)
Время нарастания:
11.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Rail
  • IGBT, N, TO-220
  • Тип транзистора: IGBT
  • Полярность транзистора: N
  • Напряжение, В: 600 В
  • Current Ic Continuous a Max:17A
  • Voltage, Vce Sat Max:2.7V
  • Power Dissipation:70W
  • Стиль корпуса: TO-220AB
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Alternate Case Style:TO-263
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current, Icm Pulsed:40A
  • Количество контактов: 3
  • Power, Pd:70W
  • Температура, ток: 25 ° C
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Time, Fall:47ns
  • Time, Fall Typ:47ns
  • Time, Rise:11ns
  • Транзисторы, Кол-во: 1
  • The HGTP3N60A4D combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.

Документы по ON Semiconductor HGTP3N60A4D, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 07.12.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 07.12.2013)
Заявление о достижении
(3 страницы, 09.08.2014)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTP3N60A4D, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTG30N60B3D
Цена от 313,21 ₽ до 4 014,01 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Рассеяние мощности 208 W (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 25.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG40N60B3
Цена от 241,03 ₽ до 7 198,73 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4D
Цена от 307,91 ₽ до 697,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG12N60A4D
Цена от 130,75 ₽ до 2 174,25 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4D
Цена от 193,24 ₽ до 2 564,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60B3
Цена от 279,85 ₽ до 1 909,44 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -40.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 165 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60C3D
Цена от 461,76 ₽ до 5 526,23 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 30.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -40.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 208 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 45.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor FGH50N6S2D
Цена от 975,62 ₽ до 10 745,83 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 15.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG12N60C3D
Цена от 187,93 ₽ до 872,98 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 24.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -40.0 °C to 150 °C.
Упаковка Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 104 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG40N60A4
Цена от 188,85 ₽ до 1 113,57 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Рассеяние мощности 625 W (max).
Время нарастания 18.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60B3D
Цена от 206,62 ₽ до 2 648,13 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 20.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -40.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 165 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 220 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.