Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG12N60C3D

24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

Цена от 187,93 ₽ до 872,98 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG12N60C3D на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Arrow Electronics
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
619,46 ₽ от 1 шт.
514,90 ₽ от 10 шт.
461,29 ₽ от 100 шт.
405,63 ₽ от 500 шт.
395,53 ₽ от 1000 шт.
384,97 ₽ от 2500 шт.
iodParts
На складе 3600 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
495,87 ₽ от 450 шт.
478,80 ₽ от 900 шт.
455,33 ₽ от 1800 шт.
435,71 ₽ от 2700 шт.
410,11 ₽ от 3600 шт.
NAC Semi
На складе 50 шт.
MOQ 28 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
412,05 ₽ от 28 шт.
Avnet
На складе 4950 шт.
MOQ 450 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
511,20 ₽ от 450 шт.
504,00 ₽ от 900 шт.
489,60 ₽ от 1800 шт.
478,80 ₽ от 2700 шт.
460,80 ₽ от 3600 шт.
450,00 ₽ от 4500 шт.
439,20 ₽ от 45000 шт.
Mouser
На складе 222 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tube
823,31 ₽ от 1 шт.
589,34 ₽ от 10 шт.
589,34 ₽ от 50 шт.
519,81 ₽ от 100 шт.
466,84 ₽ от 1000 шт.
466,84 ₽ от 10000 шт.
Rochester Electronics
На складе 213 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
508,82 ₽ от 1 шт.
498,65 ₽ от 25 шт.
488,47 ₽ от 100 шт.
478,30 ₽ от 500 шт.
468,12 ₽ от 1000 шт.
Digi-Key
На складе 400 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
872,98 ₽ от 1 шт.
748,49 ₽ от 10 шт.
697,15 ₽ от 25 шт.
623,78 ₽ от 100 шт.
550,39 ₽ от 500 шт.
495,35 ₽ от 1000 шт.
484,62 ₽ от 2500 шт.
Verical
На складе 4950 шт.
MOQ 450 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
516,50 ₽ от 450 шт.
Hamilton Americas
На складе 258 шт.
Обновлено 21:48 15.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 578 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
TME
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
271,07 ₽ от 1 шт.
239,18 ₽ от 3 шт.
216,40 ₽ от 10 шт.
201,59 ₽ от 30 шт.
187,93 ₽ от 150 шт.
Arrow.cn
На складе 2 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
672,84 ₽ от 1 шт.
484,44 ₽ от 10 шт.
450,00 ₽ от 500 шт.
440,12 ₽ от 1000 шт.
430,24 ₽ от 2500 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG12N60C3D, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
24.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Rail
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
104 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • 24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
  • Trans IGBT Chip N=-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • IGBT, N, 3-TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:24A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2V
  • Рассеиваемая мощность Pd: 104 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:24A
  • Package / Case:TO-247
  • Power Dissipation Max:104W
  • Рассеиваемая мощность Pd: 104 Вт
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • The HGTG12N60C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage dorp varies only moderately 25°C and 150°C. The IBGT used is the development type TA49123. The diode in anti parallel with the IGBT is the development type TA49061.The IGBT is ideal for mant high voltage switching applications operating at moderate frquencies where low conduction losses are essential.Formerly Developmental Type TA49117.

Документы по ON Semiconductor HGTG12N60C3D, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 08.04.2020)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTG12N60C3D, сравнение характеристик.

Infineon IRGP20B60PDPBF
Цена от 229,45 ₽ до 793,24 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP20B60PD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 220 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Infineon IRGP50B60PD1PBF
Цена от 441,62 ₽ до 4 710,88 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP50B60PD1.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 390 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 10.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4
Цена от 263,65 ₽ до 3 456,51 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4
Цена от 220,37 ₽ до 3 163,82 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60B3
Цена от 252,73 ₽ до 3 735,26 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Rail.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 208 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW39NC60VD
Цена от 164,49 ₽ до 3 275,32 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Gate Charge 126 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG40N60B3
Цена от 241,03 ₽ до 7 198,73 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4D
Цена от 307,91 ₽ до 697,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW20NC60VD
Цена от 133,75 ₽ до 2 843,25 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 30.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF10NC60KD
Цена от 56,18 ₽ до 1 010,47 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF14NC60KD
Цена от 53,18 ₽ до 1 121,97 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 11.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 28.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.