Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG40N60A4

Trans IGBT Chip N=-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Цена от 188,85 ₽ до 1 113,57 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG40N60A4 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Verical
На складе 380 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
691,10 ₽ от 2 шт.
633,38 ₽ от 10 шт.
594,09 ₽ от 100 шт.
584,16 ₽ от 250 шт.
569,81 ₽ от 500 шт.
564,51 ₽ от 1000 шт.
Arrow Electronics
На складе 380 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
718,74 ₽ от 1 шт.
658,71 ₽ от 10 шт.
617,85 ₽ от 100 шт.
607,52 ₽ от 250 шт.
592,60 ₽ от 500 шт.
587,09 ₽ от 1000 шт.
iodParts
На складе 1800 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
802,08 ₽ от 100 шт.
693,13 ₽ от 500 шт.
610,68 ₽ от 1000 шт.
Digi-Key
На складе 2114 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
1 113,57 ₽ от 1 шт.
954,09 ₽ от 10 шт.
888,60 ₽ от 25 шт.
795,08 ₽ от 100 шт.
701,54 ₽ от 500 шт.
631,39 ₽ от 1000 шт.
617,71 ₽ от 2500 шт.
Mouser
На складе 147 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tube
1 050,66 ₽ от 1 шт.
904,98 ₽ от 10 шт.
904,98 ₽ от 50 шт.
750,47 ₽ от 100 шт.
631,28 ₽ от 1000 шт.
631,28 ₽ от 10000 шт.
Verical
На складе 282 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
1 043,05 ₽ от 2 шт.
836,01 ₽ от 10 шт.
722,44 ₽ от 100 шт.
696,62 ₽ от 250 шт.
660,64 ₽ от 500 шт.
633,49 ₽ от 1000 шт.
Arrow Electronics
На складе 282 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
1 084,77 ₽ от 1 шт.
869,45 ₽ от 10 шт.
751,34 ₽ от 100 шт.
724,48 ₽ от 250 шт.
687,06 ₽ от 500 шт.
658,83 ₽ от 1000 шт.
Verical
На складе 120 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
773,57 ₽ от 30 шт.
772,68 ₽ от 60 шт.
684,88 ₽ от 110 шт.
684,01 ₽ от 260 шт.
683,09 ₽ от 520 шт.
682,11 ₽ от 2600 шт.
681,10 ₽ от 5200 шт.
Rochester Electronics
На складе 55379 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
754,59 ₽ от 1 шт.
739,49 ₽ от 25 шт.
724,40 ₽ от 100 шт.
709,32 ₽ от 500 шт.
694,22 ₽ от 1000 шт.
Avnet
На складе 331 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
881,49 ₽ от 30 шт.
879,80 ₽ от 40 шт.
878,03 ₽ от 70 шт.
777,56 ₽ от 150 шт.
775,82 ₽ от 300 шт.
773,98 ₽ от 1500 шт.
772,05 ₽ от 3000 шт.
NAC Semi
На складе 312 шт.
MOQ 31 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
848,21 ₽ от 31 шт.
788,53 ₽ от 360 шт.
Semi Source
На складе 331 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 393 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Abacus Technologies
На складе 1586 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.
TME
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
1 084,28 ₽ от 1 шт.
959,00 ₽ от 3 шт.
861,05 ₽ от 10 шт.
804,10 ₽ от 30 шт.
Avnet Europe
На складе 810 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:24 16.02.2021
Цена по запросу.
Win Source Electronics
На складе 9782 шт.
MOQ 23 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
279,85 ₽ от 23 шт.
230,86 ₽ от 55 шт.
223,88 ₽ от 90 шт.
216,90 ₽ от 120 шт.
209,92 ₽ от 155 шт.
188,85 ₽ от 205 шт.
Arrow.cn
На складе 282 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
555,09 ₽ от 1 шт.
521,79 ₽ от 10 шт.
498,11 ₽ от 100 шт.
492,03 ₽ от 250 шт.
483,04 ₽ от 500 шт.
475,83 ₽ от 1000 шт.
LCSC
На складе 6 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:26 16.02.2021
1 102,11 ₽ от 1 шт.
950,85 ₽ от 10 шт.
923,13 ₽ от 30 шт.
895,18 ₽ от 100 шт.
882,80 ₽ от 500 шт.
867,68 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG40N60A4, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
75.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
3
Рассеяние мощности:
625 W (max)
Время нарастания:
18.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N=-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • HGTG40N60A4 Series 600 V 75 A Flange Mount SMPS N-Channel IGBT - TO-247
  • The HGTG40N60A4 combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.

Документы по ON Semiconductor HGTG40N60A4, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 09.04.2020)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTG40N60A4, сравнение характеристик.

Infineon IRGP20B60PDPBF
Цена от 229,45 ₽ до 793,24 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP20B60PD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 220 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60B3D
Цена от 313,21 ₽ до 4 014,01 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Рассеяние мощности 208 W (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 25.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Infineon IRGP50B60PD1PBF
Цена от 441,62 ₽ до 4 710,88 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP50B60PD1.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 390 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 10.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4
Цена от 263,65 ₽ до 3 456,51 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4
Цена от 220,37 ₽ до 3 163,82 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60B3
Цена от 252,73 ₽ до 3 735,26 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Rail.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 208 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW39NC60VD
Цена от 164,49 ₽ до 3 275,32 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Gate Charge 126 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG40N60B3
Цена от 241,03 ₽ до 7 198,73 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4D
Цена от 307,91 ₽ до 697,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW20NC60VD
Цена от 133,75 ₽ до 2 843,25 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 30.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF10NC60KD
Цена от 56,18 ₽ до 1 010,47 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.