Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Infineon
IRG4PC50UDPBF

Igbt 600V 55A 200W TO247AC Igbt 600V 55A 200W TO247AC Igbt 600V 55A 200W TO247AC

Цена от 263,65 ₽ до 1 385,92 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRG4PC50UDPBF на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Arrow Electronics
На складе 1923 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
774,69 ₽ от 1 шт.
491,29 ₽ от 25 шт.
368,18 ₽ от 100 шт.
295,01 ₽ от 500 шт.
263,65 ₽ от 1000 шт.
Quest
На складе 21 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
993,04 ₽ от 1 шт.
662,03 ₽ от 2 шт.
496,52 ₽ от 5 шт.
Rochester Electronics
На складе 946 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
584,15 ₽ от 1 шт.
572,47 ₽ от 25 шт.
560,78 ₽ от 100 шт.
549,10 ₽ от 500 шт.
537,41 ₽ от 1000 шт.
Avnet
На складе 946 шт.
MOQ 67 шт.
Обновлено 03:22 05.03.2021
631,64 ₽ от 67 шт.
616,20 ₽ от 70 шт.
607,52 ₽ от 140 шт.
590,16 ₽ от 340 шт.
577,14 ₽ от 670 шт.
Verical
На складе 7875 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
1 206,21 ₽ от 2 шт.
1 079,70 ₽ от 10 шт.
965,02 ₽ от 25 шт.
831,71 ₽ от 100 шт.
Arrow Electronics
На складе 7875 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
1 254,46 ₽ от 1 шт.
1 122,89 ₽ от 10 шт.
1 003,62 ₽ от 25 шт.
864,98 ₽ от 100 шт.
Touchstone Systems
На складе 11 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 26 шт.
Обновлено 16:26 02.03.2021
Цена по запросу.
Schukat
На складе 85 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 08:11 05.03.2021
965,03 ₽ от 5 шт.
765,37 ₽ от 25 шт.
665,54 ₽ от 100 шт.
610,08 ₽ от 200 шт.
Avnet Europe
На складе 300 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 07:22 05.03.2021
797,40 ₽ от 25 шт.
765,50 ₽ от 50 шт.
749,55 ₽ от 100 шт.
737,59 ₽ от 150 шт.
709,68 ₽ от 200 шт.
697,72 ₽ от 250 шт.
661,84 ₽ от 2500 шт.
TME
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
1 047,64 ₽ от 1 шт.
942,76 ₽ от 5 шт.
822,90 ₽ от 25 шт.
698,42 ₽ от 100 шт.
RS Components
На складе 292 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
1 232,12 ₽ от 1 шт.
Eurotronik
На складе 490 шт.
Обновлено 10:59 24.02.2021
Цена по запросу.
Win Source Electronics
На складе 4004 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
684,91 ₽ от 10 шт.
564,96 ₽ от 23 шт.
547,88 ₽ от 40 шт.
530,80 ₽ от 50 шт.
513,72 ₽ от 65 шт.
462,35 ₽ от 85 шт.
Star River Electronics
На складе 1353 шт.
Обновлено 11:28 26.02.2021
644,72 ₽ от 1 шт.
Arrow.cn
На складе 7875 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
1 385,92 ₽ от 1 шт.
1 240,56 ₽ от 10 шт.
1 108,79 ₽ от 25 шт.
955,62 ₽ от 100 шт.
GreenTree Electronics
На складе 500 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRG4PC50UDPBF, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
55.0 A
Входная емкость:
4.00 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Pending Obsolescence
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Part Family:
IRG4PC50UD
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
200 W (max)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
25.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • IGBT 600V 55A 200W TO247AC IGBT 600V 55A 200W TO247AC IGBT 600V 55A 200W TO247AC
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
  • 600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package, TO247COPAK-3, RoHS
  • IR - IR IRG4PC50UD IGBT DEVICE IGBT W/DIODE 600V 55A TO-247AC
  • IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.65 V Current release time: 74 ns Power dissipation: 200 W
  • IGBT, TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:55A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2V
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:55A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Fall Time Max:110ns
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-247
  • Power Dissipation Max:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulsed Current Icm:220A
  • Время нарастания: 25 нс
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V

Документы по Infineon IRG4PC50UDPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(11 страниц, 18.08.2007)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)

Товары похожие на Infineon IRG4PC50UDPBF, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTG30N60B3D
Цена от 316,94 ₽ до 3 993,23 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Рассеяние мощности 208 W (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 25.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Infineon IRG4PC50FPBF
Цена от 370,25 ₽ до 2 052,08 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V (max).
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRG4PC50F.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 25.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4
Цена от 223,00 ₽ до 3 147,44 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4
Цена от 257,51 ₽ до 3 438,62 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60B3
Цена от 175,45 ₽ до 3 715,92 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Rail.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 208 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG40N60B3
Цена от 243,90 ₽ до 7 161,47 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4D
Цена от 296,45 ₽ до 3 369,29 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW30NC60WD
Цена от 158,89 ₽ до 2 440,31 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG12N60A4D
Цена от 132,30 ₽ до 2 163,00 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW39NC60VD
Цена от 166,44 ₽ до 3 258,37 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Gate Charge 126 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.